发明授权
- 专利标题: 半导体装置和电位测量装置
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申请号: CN201780072891.3申请日: 2017-11-17
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公开(公告)号: CN110023746B公开(公告)日: 2022-11-18
- 发明人: 佐藤正启 , 亀谷真知子 , 小木纯 , 加藤祐理
- 申请人: 索尼半导体解决方案公司
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 索尼半导体解决方案公司
- 当前专利权人: 索尼半导体解决方案公司
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
- 代理商 瓮芳; 陈桂香
- 优先权: 2016-235130 20161202 JP
- 国际申请: PCT/JP2017/041416 2017.11.17
- 国际公布: WO2018/101075 JA 2018.06.07
- 进入国家日期: 2019-05-24
- 主分类号: G01N27/416
- IPC分类号: G01N27/416 ; H03F1/52
摘要:
本发明涉及:当电极和放大器设置在同一基板上时能够在电极形成过程中防止静电击穿的半导体装置和电位测量装置。设置有这样的二极管:该二极管的负极连接至放大晶体管的前一级,该放大晶体管用于放大由用于读取电位的读取电极读取的信号,该读取电极与输入有样本的液体接触;并且该二极管的正极接地。使用该构造,通过使电极形成过程中的在电极和放大晶体管之间产生的负电荷从二极管旁通并且向地排出负电荷来防止静电击穿。本发明适用于生物电电位测量装置。
公开/授权文献
- CN110023746A 半导体装置和电位测量装置 公开/授权日:2019-07-16