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公开(公告)号：CN110023746B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201780072891.3
申请日：2017-11-17
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： G01N27/416 , H03F1/52
摘要： 本发明涉及：当电极和放大器设置在同一基板上时能够在电极形成过程中防止静电击穿的半导体装置和电位测量装置。设置有这样的二极管：该二极管的负极连接至放大晶体管的前一级，该放大晶体管用于放大由用于读取电位的读取电极读取的信号，该读取电极与输入有样本的液体接触；并且该二极管的正极接地。使用该构造，通过使电极形成过程中的在电极和放大晶体管之间产生的负电荷从二极管旁通并且向地排出负电荷来防止静电击穿。本发明适用于生物电电位测量装置。
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公开(公告)号：CN106796941A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580045723.6
申请日：2015-08-28
申请人： 索尼半导体解决方案公司
摘要： 本发明涉及如下的固体摄像器件、摄像装置、电子设备和半导体装置：它们能够使用简单的方法来防止填充在基板与倒装芯片电气连接的部位中的底部填充树脂溢出，并且还能够防止例如电气短路及与加工装备的接触等二次损害。通过利用用于形成片上透镜的成型技术，以围绕着透镜材质层的经由焊料凸块连接有倒装芯片的范围的方式来形成环形或方形的堤坝，所述透镜材质层被设置于固体摄像器件的基板的顶层上且是为了形成所述片上透镜而被提供的。因此，该堤坝能够阻挡填充在基板与倒装芯片电气连接的范围内的底部填充树脂。本发明能够应用到固体摄像器件。
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公开(公告)号：CN113424027B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202080013323.8
申请日：2020-03-06
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： G01J1/42 , G01J1/44 , H01L31/107 , H01L31/10
摘要： 光接收装置(1a)包括计数单元(11)、设定单元(12)和获取单元(13)。计数单元被构造为对检测次数进行计数并且输出计数值，所述检测次数表示在曝光时段内检测到的光子入射到光接收元件上的次数。设定单元被构造为根据曝光时段内的经过时间来设定更新时间信息的周期。获取单元被构造为获取时间信息，所述时间信息指示在经过曝光时段之前计数值达到阈值的时间。
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公开(公告)号：CN108291887B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201680057512.9
申请日：2016-08-09
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： G01N27/30 , G01N27/403 , G01N27/416
摘要： 根据本公开的电位测量装置包括多个读出电极，其以阵列形状布置并且配置为检测由于化学变化产生的电位生成点处的电位；和参考电极，其配置为检测参考电位。该参考电极布置在该读出电极的阵列内部。在这个配置下，其中获得其中可以降低叠加在从每个读出电极至放大器的配线上的噪声和叠加在从该参考电极至该放大器的配线上的噪声的低噪声电位测量装置。
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公开(公告)号：CN116547820A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180071971.3
申请日：2021-09-13
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 小木纯
IPC分类号： H01L31/107
摘要： 根据本公开的一个实施例的光接收装置包括堆叠式芯片结构，在该堆叠式芯片结构中堆叠像素芯片和电路芯片。在像素芯片中，设置用于根据光子的接收生成信号的光接收元件。在电路芯片中，构成用于读出在光接收元件中生成的信号的读出电路的电路部相对于像素芯片与电路芯片之间的电耦接部沿着垂直于电路芯片的基板表面的方向设置。
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公开(公告)号：CN115702499A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202180041616.1
申请日：2021-04-06
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822 , H01L27/146 , H01L31/10 , H01L31/107 , H04N25/70
摘要： [问题]为了提供能够减小电阻元件用的电极之间的寄生电容的半导体装置及其制造方法。[技术方案]根据本公开的半导体装置包括：基板；设置在所述基板上的第一电阻层；与所述第一电阻层的下表面接触的第一电极；以及与所述第一电阻层的上表面接触的第二电极。
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公开(公告)号：CN109952505A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201780068778.8
申请日：2017-11-17
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： G01N27/416 , C25D7/12 , C25D21/12 , G01R29/12
摘要： 本发明涉及半导体装置，当电极和放大器设置在同一基板上时，所述半导体装置能够通过提供可实现电极电镀工艺的构造来防止由产生的寄生电容引起的信号特性的劣化，还涉及电位测量装置。当电源提供用于执行电镀处理所需的电位时，阻断单元从液体读取信号，并且放大器放大并输出信号，电镀处理所需的电源相对于电极被阻断。本发明适用于电位测量装置。
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公开(公告)号：CN109155325B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201880002008.8
申请日：2018-03-20
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/107
摘要： [目的]为了实现像素的小型化、噪声的减小和高量子效率，以及在抑制像素间干扰和各像素差异的同时提高短波灵敏度。[方案]根据本发明，提出一种摄像装置，其包括：第一半导体层，其形成在半导体基板上；第二半导体层，其形成在第一半导体层上且具有与第一半导体层的导电类型相反的导电类型；像素分隔部，其限定包括第一半导体层和第二半导体层的像素区域；第一电极，其从半导体基板的一个表面侧连接至第一半导体层；和第二电极，其从作为半导体基板的另一表面的光照射面侧连接至第二半导体层，并且被形成为与像素分隔单元的位置对应。
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公开(公告)号：CN117581558A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202280045329.2
申请日：2022-03-11
申请人： 索尼半导体解决方案公司
摘要： 根据本公开的一方面的成像装置包括：多个像素，以矩阵布置；以及控制单元，对多个像素执行TDI控制。每个像素具有响应于光进入生成光脉冲的光脉冲响应单元和计数器单元。计数器单元包括重写初始值的重写电路和将基于光脉冲的信息添加到初始值的加法电路。控制单元使存储在计数器单元中的信息作为初始值被写入包括在列方向上的下一级的像素中的计数器单元中，然后，使基于从光脉冲响应单元获取的光脉冲的信息被添加到初始值。
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公开(公告)号：CN113424027A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080013323.8
申请日：2020-03-06
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： G01J1/42 , G01J1/44 , H01L31/107 , H01L31/10
摘要： 光接收装置(1a)包括计数单元(11)、设定单元(12)和获取单元(13)。计数单元被构造为对检测次数进行计数并且输出计数值，所述检测次数表示在曝光时段内检测到的光子入射到光接收元件上的次数。设定单元被构造为根据曝光时段内的经过时间来设定更新时间信息的周期。获取单元被构造为获取时间信息，所述时间信息指示在经过曝光时段之前计数值达到阈值的时间。
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