- 专利标题: 一种用于直接电镀的表面处理工艺及其相关直接电镀工艺
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申请号: CN201910429468.5申请日: 2019-05-22
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公开(公告)号: CN110029382B公开(公告)日: 2021-09-24
- 发明人: 李婧 , 何为 , 周国云 , 洪延 , 王翀 , 陈苑明 , 王守绪 , 李清华 , 艾克华 , 胡志强 , 李文龙
- 申请人: 电子科技大学 , 四川英创力电子科技股份有限公司
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;
- 专利权人: 电子科技大学,四川英创力电子科技股份有限公司
- 当前专利权人: 电子科技大学,四川英创力电子科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;
- 代理机构: 成都点睛专利代理事务所
- 代理商 葛启函
- 主分类号: C25D5/54
- IPC分类号: C25D5/54
摘要:
一种用于直接电镀的表面处理工艺及其相关直接电镀工艺,属于直接电镀表面处理技术领域。本发明工艺步骤包括对绝缘基材进行氧化预沉积处理,使得绝缘基材表面吸附氧化剂,然后将有机金属化合物和具有共轭结构的高分子化合物单体作为溶质配制成混合溶液,并将吸附有氧化剂的绝缘基材置于所述混合溶液中反应,从而在绝缘基材表面形成复合有机导电聚合物沉积层,基于该复合有机导电聚合物沉积层实现了在绝缘基材上的直接电镀。本发明可以取代传统的化学镀或黑孔等金属化工艺,并具有操作简单、无污染、与基材结合力好等优点;与传统导电聚合物直接电镀相比,本发明具有耐高温、耐酸碱、上镀速率快等优点,可以在极端条件下保持良好的性能,实现广泛应用。
公开/授权文献
- CN110029382A 一种用于直接电镀的表面处理工艺及其相关直接电镀工艺 公开/授权日:2019-07-19