设计掩模的方法和使用该掩模制造半导体器件的方法
Abstract:
在设计掩模的方法中,设计包括有源区、栅极结构、和栅极抽头的第一掩模,所述栅极抽头与所述有源区和所述栅极结构部分地重叠。改变所述第一掩模,使得所述栅极抽头的一部分延伸。对改变的第一掩模执行OPC以设计第二掩模。
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