Invention Publication
- Patent Title: 设计掩模的方法和使用该掩模制造半导体器件的方法
- Patent Title (English): METHOD OF DESIGNING A MASK AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
-
Application No.: CN201811426612.1Application Date: 2018-11-27
-
Publication No.: CN110032038APublication Date: 2019-07-19
- Inventor: 梁起豪 , 张准荣 , 金昌焕 , 徐成寿
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- Agent 赵南; 张青
- Priority: 10-2017-0159664 2017.11.27 KR
- Main IPC: G03F1/36
- IPC: G03F1/36 ; H01L21/336

Abstract:
在设计掩模的方法中,设计包括有源区、栅极结构、和栅极抽头的第一掩模,所述栅极抽头与所述有源区和所述栅极结构部分地重叠。改变所述第一掩模,使得所述栅极抽头的一部分延伸。对改变的第一掩模执行OPC以设计第二掩模。
Public/Granted literature
- CN110032038B 设计掩模的方法和使用该掩模制造半导体器件的方法 Public/Granted day:2023-09-29
Information query