存储设备、操作其的方法和操作包括其的电子设备的方法

    公开(公告)号:CN117708900A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311109479.8

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 公开了一种操作与主机设备通信的存储设备的方法。所述方法包括:分配安全区域和用户区域;将通过使用第一加密密钥加密的第一数据存储在所述安全区域的第一数据块中;从所述主机设备接收指示所述第一数据的第一安全删除操作的第一请求;基于所述第一请求,通过使用所述第一加密密钥来解密所述第一数据块的至少一个有效数据,其中,所述至少一个有效数据不包括所述第一数据;通过使用与所述第一加密密钥不同的第二加密密钥来对解密的所述至少一个有效数据进行加密;将加密的所述至少一个有效数据存储在所述安全区域的第二数据块中;以及删除所述第一加密密钥。

    校正掩模布局的方法和使用其制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN109828433B

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN201811396840.9

    申请日:2018-11-22

    Abstract: 本发明构思提供了校正掩模布局的方法和使用其制造半导体器件的方法。该校正掩模布局的方法包括:提供包括第一图案的掩模布局,每个第一图案具有与第一临界尺寸(CD)值相关的尺寸;获得关于晶片的区域的形貌数据;使用形貌数据生成散焦图;以及基于散焦图校正掩模布局。生成散焦图包括分别为掩模布局的多个子区域设置第二CD值。第二CD值可以基于形貌数据设置。基于散焦图校正掩模布局包括将第一图案的尺寸校正为与第二CD值相关。

    利用写保护控制图像形成装置的方法和图像形成系统

    公开(公告)号:CN100531287C

    公开(公告)日:2009-08-19

    申请号:CN200610153436.X

    申请日:2006-07-20

    Inventor: 金昌焕 安承德

    Abstract: 提供一种系统和方法,用于控制图像形成装置并且包括供给品信息存储单元、替换时间检测单元和信息控制器,所述供给品信息存储单元包括在图像形成装置的供给品中并且具有可写的第一存储区域和具有写保护的第二存储区域,其存储关于第一存储区域中的供给品的信息,所述替换时间检测单元检测所述供给品的替换时间并输出检测结果,所述信息控制器响应替换时间检测单元的输出结果将存储在第一存储区域中的信息存储到第二存储区域并设置写保护,并删除存储在第一存储区域中的信息。因此,可以防止非法再生的供给品被安装或使用。这样,可以保证所述图像形成装置使用的稳定性,延长所述图像形成装置的寿命并可以防止打印质量的退化。

    存储装置及其操作方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116266151A

    公开(公告)日:2023-06-20

    申请号:CN202211440989.9

    申请日:2022-11-17

    Abstract: 提供了存储装置及其操作方法。提供的是一种存储装置。所述存储装置包括:存储单元;以及存储装置控制器,所述存储装置控制器包括闪存控制器和处理器,所述闪存控制器对所述存储单元执行数据操作,所述处理器运行RTOS(实时操作系统)以便控制所述闪存控制器,其中所述RTOS与所述存储装置控制器通信并以正常操作模式操作,当缺陷发生时,所述RTOS在调试模式下生成快照数据,所述RTOS在所述正常操作模式下通过上下文切换来切换到所述调试模式,并且当在执行在所述调试模式下生成所述快照数据的操作时紧急工作出现时,所述RTOS以所述正常操作模式操作。

    存储装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101587311A

    公开(公告)日:2009-11-25

    申请号:CN200910149975.X

    申请日:2006-07-20

    Inventor: 金昌焕 安承德

    Abstract: 提供一种系统和方法,用于控制图像形成装置并且包括供给品信息存储单元、替换时间检测单元和信息控制器,所述供给品信息存储单元包括在图像形成装置的供给品中并且具有可写的第一存储区域和具有写保护的第二存储区域,其存储关于第一存储区域中的供给品的信息,所述替换时间检测单元检测所述供给品的替换时间并输出检测结果,所述信息控制器响应替换时间检测单元的输出结果将存储在第一存储区域中的信息存储到第二存储区域并设置写保护,并删除存储在第一存储区域中的信息。因此,可以防止非法再生的供给品被安装或使用。这样,可以保证所述图像形成装置使用的稳定性,延长所述图像形成装置的寿命并可以防止打印质量的退化。

    校正掩模布局的方法和使用其制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN109828433A

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201811396840.9

    申请日:2018-11-22

    Abstract: 本发明构思提供了校正掩模布局的方法和使用其制造半导体器件的方法。该校正掩模布局的方法包括:提供包括第一图案的掩模布局,每个第一图案具有与第一临界尺寸(CD)值相关的尺寸;获得关于晶片的区域的形貌数据;使用形貌数据生成散焦图;以及基于散焦图校正掩模布局。生成散焦图包括分别为掩模布局的多个子区域设置第二CD值。第二CD值可以基于形貌数据设置。基于散焦图校正掩模布局包括将第一图案的尺寸校正为与第二CD值相关。

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