一种采用像素型硅传感器的超宽LET探测方法及装置
摘要:
本发明及一种采用像素型硅传感器的超宽LET探测方法及装置,基于像素型硅传感器的超宽LET探测装置采用2层像素型硅传感器替代多层Si-pin传感器,并采用优先读出电路实时采集触发时的位置、时间和沉积能量信息,在保证高采样率的同时,能够实时记录每个入射荷电粒子的入射方向,实现LET谱精确探测目标;同时采用多个ΔE望远镜系统并列使用,以耦合的方式实现宽LET谱探测。本发明的有益效果是实现实时记录每个入射荷电粒子的入射方向和电离能损,既大幅提高LET谱探测的准确度,又能够有效减小探测器的尺寸,提高探测器视场。
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