发明公开
- 专利标题: 一种采用像素型硅传感器的超宽LET探测方法及装置
- 专利标题(英): Super-wide LET (Linear Energy Transfer) detection method and device capable of adopting pixel type silicon sensor
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申请号: CN201910406878.8申请日: 2019-05-16
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公开(公告)号: CN110082815A公开(公告)日: 2019-08-02
- 发明人: 刘金胜 , 王博 , 肖婷 , 胡喜庆 , 宋娟 , 赵小利 , 任文冠 , 邵思霈
- 申请人: 山东航天电子技术研究所
- 申请人地址: 山东省烟台市高新区航天路513号
- 专利权人: 山东航天电子技术研究所
- 当前专利权人: 山东航天电子技术研究所
- 当前专利权人地址: 山东省烟台市高新区航天路513号
- 代理机构: 北京金硕果知识产权代理事务所
- 代理商 孙丽娜
- 主分类号: G01T1/36
- IPC分类号: G01T1/36
摘要:
本发明及一种采用像素型硅传感器的超宽LET探测方法及装置,基于像素型硅传感器的超宽LET探测装置采用2层像素型硅传感器替代多层Si-pin传感器,并采用优先读出电路实时采集触发时的位置、时间和沉积能量信息,在保证高采样率的同时,能够实时记录每个入射荷电粒子的入射方向,实现LET谱精确探测目标;同时采用多个ΔE望远镜系统并列使用,以耦合的方式实现宽LET谱探测。本发明的有益效果是实现实时记录每个入射荷电粒子的入射方向和电离能损,既大幅提高LET谱探测的准确度,又能够有效减小探测器的尺寸,提高探测器视场。
公开/授权文献
- CN110082815B 一种采用像素型硅传感器的超宽LET探测方法及装置 公开/授权日:2023-05-23