发明公开
CN110090950A 金-氧化锌半导体复合结构的合成方法
无效 - 撤回
- 专利标题: 金-氧化锌半导体复合结构的合成方法
- 专利标题(英): Method for synthesizing gold-zinc oxide semiconductor composite structure
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申请号: CN201910345971.2申请日: 2019-04-26
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公开(公告)号: CN110090950A公开(公告)日: 2019-08-06
- 发明人: 苗丽坤 , 雷敏洋 , 袁宁 , 周鲁豪 , 雷勇 , 付群
- 申请人: 上海大学
- 申请人地址: 上海市宝山区上大路99号
- 专利权人: 上海大学
- 当前专利权人: 上海大学
- 当前专利权人地址: 上海市宝山区上大路99号
- 代理机构: 北京科亿知识产权代理事务所
- 代理商 汤东凤
- 主分类号: B22F1/02
- IPC分类号: B22F1/02 ; C23C14/24 ; C23C18/12 ; C25D1/00 ; G01N21/65
摘要:
金-氧化锌半导体复合结构的合成方法。本发明涉及Au@ZnO纳米结构的制备。人们对分析检测手段提出了更高的要求。超灵敏的表面增强拉曼光谱(surface-enhanced Raman spectroscopy,SERS)技术因其无损无污染的指纹特征信息而被认为是高效低廉、强有力的分析检测手段而广泛用于环境领域。贵金属虽然具有优异的SERS检测性能,但是其局限性无法避免。随着科技的进步,使得半导体材料的SERS效应的直接观测取得重大进展,半导体逐渐成为非常有前景的SERS基底材料。但是半导体材料却因为SERS效应微弱无法与金属相提并论,而两者的复合却产生了1+1大于2的效应,使得实用上SERS技术与生物化学传感、气体探测及光催化性能的协同应用成为现实。