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发明授权
CN110098339B 一种量子点发光二极管QLED器件及其制作方法、装置 有权

一种量子点发光二极管QLED器件及其制作方法、装置
摘要：
本申请涉及发光器件技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管QLED器件及其制作方法、装置，用以缓解现有技术中在量子点发光层之上形成的第一传输层中纳米粒子渗漏而影响量子点发光层性能的问题。该器件包括：量子点发光层、位于量子点发光层之上的第一传输层、位于量子点发光层与第一传输层之间的第一阻挡层，第一阻挡层包含聚合物电解质，用于阻隔第一传输层中的至少部分纳米粒子渗漏至量子点发光层。由于该第一阻挡层包含较为致密的网状聚合物电解质，从而，第一阻挡层可以阻隔第一传输层中的至少部分纳米粒子渗漏至量子点发光层，避免第一传输层与量子点发光层之间出现粒子互溶的情况，保证量子点发光层的发光性能。
摘要（英）：

The disclosure relates to the field of light-emitting device technology, and in particular to a quantum dot light-emitting diode device and a manufacturing method, an apparatus thereof. The device includes: a quantum dot light-emitting layer, a first transport layer located over the quantum dot light-emitting layer, a first barrier layer located between the quantum dot light-emitting layer and the first transport layer, the first barrier layer containing a polymer electrolyte, which is configured to block at least a portion of the nanoparticles in the first transport layer from leaking into the quantum dot light-emitting layer.

公开/授权文献
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