发明授权
- 专利标题: 底侧具有支撑结构的半导体模块
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申请号: CN201780078850.5申请日: 2017-12-15
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公开(公告)号: CN110100308B公开(公告)日: 2020-09-22
- 发明人: 史蒂芬·诺伊格鲍尔 , 斯特凡·普费弗莱因 , 龙尼·维尔纳
- 申请人: 西门子股份公司
- 申请人地址: 德国慕尼黑
- 专利权人: 西门子股份公司
- 当前专利权人: 西门子股份公司
- 当前专利权人地址: 德国慕尼黑
- 代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 张英
- 优先权: 16205389.6 2016.12.20 EP
- 国际申请: PCT/EP2017/082992 2017.12.15
- 国际公布: WO2018/114651 DE 2018.06.28
- 进入国家日期: 2019-06-19
- 主分类号: H01L23/373
- IPC分类号: H01L23/373 ; H01L23/367
摘要:
一种具有底侧的支撑结构的半导体模块。半导体模块(1)具有由电绝缘材料组成的衬底(2)。在衬底(2)的上侧(3)施加有结构化金属层(4),通过该结构化金属层来接触至少一个电构件(5)。结构化金属层(4)只被施加在衬底(2)上的中央区域(6)中,使得在衬底(2)的上侧(3)留有包围中央区域(6)的边缘区域(7),在该边缘区域中没有结构化金属层(4)被施加在衬底(2)上。在衬底(2)的底侧(8)上的中央区域(6)内施加有用于接触冷却体(10)的接触层(9),其与结构化金属层(4)相对置。在衬底(2)的底侧(8)上的边缘区域(7)内施加有结构化支撑结构(11),其厚度(d2)对应于接触层(9)的厚度(d1)。
公开/授权文献
- CN110100308A 底侧具有支撑结构的半导体模块 公开/授权日:2019-08-06