公开(公告)号：CN110100308B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201780078850.5

申请日：2017-12-15

申请人： 西门子股份公司

发明人： 史蒂芬·诺伊格鲍尔 ,  斯特凡·普费弗莱因 ,  龙尼·维尔纳

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/367

摘要： 一种具有底侧的支撑结构的半导体模块。半导体模块(1)具有由电绝缘材料组成的衬底(2)。在衬底(2)的上侧(3)施加有结构化金属层(4)，通过该结构化金属层来接触至少一个电构件(5)。结构化金属层(4)只被施加在衬底(2)上的中央区域(6)中，使得在衬底(2)的上侧(3)留有包围中央区域(6)的边缘区域(7)，在该边缘区域中没有结构化金属层(4)被施加在衬底(2)上。在衬底(2)的底侧(8)上的中央区域(6)内施加有用于接触冷却体(10)的接触层(9)，其与结构化金属层(4)相对置。在衬底(2)的底侧(8)上的边缘区域(7)内施加有结构化支撑结构(11)，其厚度(d2)对应于接触层(9)的厚度(d1)。

公开(公告)号：CN109661724A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201780054327.9

申请日：2017-07-07

申请人： 西门子股份公司

发明人： 米夏埃尔·莱佩纳特 ,  克里斯托夫·内特 ,  拉尔夫·施密特 ,  龙尼·维尔纳

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/498

摘要： 本发明涉及一种功率模块，具有要在上侧和下侧接触的半导体构件(1)。本发明的特征在于，半导体构件(1)在上侧通过引线框架基体(7)借助于压紧力电接触。

公开(公告)号：CN110100308A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201780078850.5

申请日：2017-12-15

申请人： 西门子股份公司

发明人： 史蒂芬·诺伊格鲍尔 ,  斯特凡·普费弗莱因 ,  龙尼·维尔纳

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/367

摘要： 一种具有底侧的支撑结构的半导体模块。半导体模块(1)具有由电绝缘材料组成的衬底(2)。在衬底(2)的上侧(3)施加有结构化金属层(4)，通过该结构化金属层来接触至少一个电构件(5)。结构化金属层(4)只被施加在衬底(2)上的中央区域(6)中，使得在衬底(2)的上侧(3)留有包围中央区域(6)的边缘区域(7)，在该边缘区域中没有结构化金属层(4)被施加在衬底(2)上。在衬底(2)的底侧(8)上的中央区域(6)内施加有用于接触冷却体(10)的接触层(9)，其与结构化金属层(4)相对置。在衬底(2)的底侧(8)上的边缘区域(7)内施加有结构化支撑结构(11)，其厚度(d2)对应于接触层(9)的厚度(d1)。

公开(公告)号：CN116529873A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180080852.4

申请日：2021-10-12

申请人： 西门子股份公司

发明人： 斯特凡·普费弗莱因 ,  龙尼·维尔纳

IPC分类号： H01L23/427

摘要： 本发明涉及一种半导体模块(2)，其具有至少一个半导体元件(4)、第一基板(6)和第二基板(12)。与现有技术相比，为了实现更高的可靠性而提出：至少一个半导体元件(4)在第一侧(6)上以平面与第一基板(8)连接并且在背离第一侧(6)的第二侧(10)上以平面与第二基板(12)连接，其中，相变材料(30)布置在第二基板(12)的封闭的、特别是连续的空腔结构(44)中并且与半导体元件(4)导热地连接。