发明公开
- 专利标题: 二次电池及其制造方法
- 专利标题(英): SECONDARY BATTERY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
-
申请号: CN201780074360.8申请日: 2017-12-04
-
公开(公告)号: CN110114910A公开(公告)日: 2019-08-09
- 发明人: 小国哲平 , 内田彩 , 门间裕史
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川县厚木市
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县厚木市
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 何欣亭; 张金金
- 优先权: 2016-239821 2016.12.09 JP
- 国际申请: PCT/IB2017/057598 2017.12.04
- 国际公布: WO2018/104838 EN 2018.06.14
- 进入国家日期: 2019-05-30
- 主分类号: H01M2/16
- IPC分类号: H01M2/16 ; H01B1/06 ; H01M10/056 ; H01M10/058
摘要:
提供一种在使用包含固体电解质的固体电池中防止正极与负极之间的短路的层。作为正极与负极之间的固体电解质,使用包含石墨烯化合物的层。包含石墨烯化合物的层能够使锂离子穿过。预先对包含石墨烯化合物的层添加锂离子。具体而言,使用修饰剂,并使用使扩大层间距离的醚、酯等官能团化学修饰的石墨烯化合物。
公开/授权文献
- CN110114910B 二次电池及其制造方法 公开/授权日:2024-06-18