本发明提出了一种用于制备纳米材料的气相反应炉，包括：炉体，炉体安装在炉体支架上，其特征在于：还包括供气系统、升降系统，供气系统设置在炉体的外侧并通过气管与炉体连通，炉体内设有上部导热板、导流均热板、炉腔、两个混气腔，炉体下部设有开口，上部导热板和两个导流均热板包裹在炉腔外部，混气腔位于导流均热板的外侧；在炉体下方还设有升降系统，升降系统上部设有升降台、炉门、下部导热板，炉门与炉体下部开口采用气密性结构密封。其有益效果是：本发明解决了小型CVD真空管式炉制备纳米材料面积小，生长不均匀的问题。