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公开(公告)号：CN110144568A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910519665.6
申请日：2019-06-17
申请人： 郑州大工高新科技有限公司 , 大连理工大学重大装备设计与制造郑州研究院
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/26 , B82Y40/00
摘要： 本发明提出了一种用于制备纳米材料的气相反应炉，包括：炉体，炉体安装在炉体支架上，其特征在于：还包括供气系统、升降系统，供气系统设置在炉体的外侧并通过气管与炉体连通，炉体内设有上部导热板、导流均热板、炉腔、两个混气腔，炉体下部设有开口，上部导热板和两个导流均热板包裹在炉腔外部，混气腔位于导流均热板的外侧；在炉体下方还设有升降系统，升降系统上部设有升降台、炉门、下部导热板，炉门与炉体下部开口采用气密性结构密封。其有益效果是：本发明解决了小型CVD真空管式炉制备纳米材料面积小，生长不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN113078129A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110516152.7
申请日：2021-05-12
申请人： 郑州大工高新科技有限公司 , 大连理工大学
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/367
摘要： 本发明涉及大功率的电子元器件散热领域的技术领域，尤其是一种硅基键合石墨烯（CBG）陶瓷散热器一体化结构，包括从上到下依次设置的大功率半导体芯片、锡焊层、铜金属线路和硅基键合石墨烯（CBG）陶瓷散热器，所述的硅基键合石墨烯（CBG）陶瓷散热器包括陶瓷散热器以及所述的陶瓷散热器表面设有的一层硅基键合石墨烯（CBG）涂层，本发明减少了常规封装结构中间的铜散热基板、导热凝胶结构，降低了热阻，同时再加上硅基键合石墨烯（CBG）涂层的优良的导热散热能力以及与陶瓷散热器间优良的结合性能，可以大大提高半导体功率电子器件的散热性能。
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公开(公告)号：CN111500068A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010547339.9
申请日：2020-06-16
申请人： 大连理工大学重大装备设计与制造郑州研究院 , 郑州大工高新科技有限公司
摘要： 本发明属于导热散热材料的技术领域，尤其涉及一种利用新型石墨烯包覆基体材料制成的导热硅脂及其制备方法，一种新型石墨烯包覆基体材料，包括金属氧化物、金属氮化物或非金属碳材料中的一种或两种以上混合物的基体、以及基体表面包覆的石墨烯。本发明利用新型石墨烯包覆基体材料制成的导热硅脂，能够在200℃保持稳定，添加的石墨烯包覆的基体材料，有效的提高了导热硅脂的导热性能，能够将本发明的导热硅脂应用于高功率的电子元器件，保证电子设备长期在正常温度范围内运行，延长使用寿命，具有优异的经济效益。
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公开(公告)号：CN111592861A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010547911.1
申请日：2020-06-16
申请人： 大连理工大学重大装备设计与制造郑州研究院 , 郑州大工高新科技有限公司
IPC分类号： C09K5/08
摘要： 本发明属于一种热界面有机导热材料的技术领域，尤其涉及一种高性能导热硅脂及其制备方法，所述导热硅脂的具体组成成分是：基体导热油8％～20％、导热填料75％～91％和改性剂0.05％～5％，其中，所述导热填料主要为石墨烯和氧化铝。本发明中石墨烯的改性是将石墨烯加入到改性剂的乙醇溶液中，通过加热搅拌实现；氧化铝的改性是直接将改性剂加入到基体导热油中，通过加热搅拌使其均匀分散，此时改性剂亲油基团与基体油结合，然后再加入氧化铝粉，通过加热搅拌使粉体表面接上改性剂的亲水基团，从而实现粉体颗粒在基体油中较好的分散，并且增强了基体油与颗粒的结合，减少了结合界面的缺陷，降低了导热填料颗粒与基体的界面热阻。
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公开(公告)号：CN110144568B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201910519665.6
申请日：2019-06-17
申请人： 郑州大工高新科技有限公司 , 大连理工大学
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/26 , B82Y40/00
摘要： 本发明提出了一种用于制备纳米材料的气相反应炉，包括：炉体，炉体安装在炉体支架上，其特征在于：还包括供气系统、升降系统，供气系统设置在炉体的外侧并通过气管与炉体连通，炉体内设有上部导热板、导流均热板、炉腔、两个混气腔，炉体下部设有开口，上部导热板和两个导流均热板包裹在炉腔外部，混气腔位于导流均热板的外侧；在炉体下方还设有升降系统，升降系统上部设有升降台、炉门、下部导热板，炉门与炉体下部开口采用气密性结构密封。其有益效果是：本发明解决了小型CVD真空管式炉制备纳米材料面积小，生长不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN110126126A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910527973.3
申请日：2019-06-18
申请人： 大连理工大学重大装备设计与制造郑州研究院 , 郑州大工高新科技有限公司
摘要： 本发明提出了一种连续碳纤维热塑性预浸料制备系统，其组成包括：纱架，在所述纱架上安放碳纤维束，所述纱架的后还包括展纤装置、涂覆装置、热压装置、收卷装置，所述碳纤维束从所述纱架上牵引出经过所述展纤装置均匀展开后进入到所述涂覆装置中，在经过所述涂覆装置喷涂树脂与所述碳纤维束结合后，经所述热压装置的加热和碾压成为浸渍完全的预浸带，最后经所述收卷装置进行收卷。其有益效果是：整套设备尺寸小，整套设备在5m，占地空间小；设备模块化设计，展纤和预浸可以分开进行；该设备能够得到宽度和厚度均匀的纤维带；热压模块能够控制结合体加热过程中的收缩，能够得到厚度均匀的预浸带。
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公开(公告)号：CN215683018U
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202121006789.3
申请日：2021-05-12
申请人： 郑州大工高新科技有限公司 , 大连理工大学
IPC分类号： H05K7/20 , C04B41/85 , C04B41/88 , C01B32/186
摘要： 本实用新型涉及电子元器件散热领域的技术领域，尤其是一种硅基键合的石墨烯散热覆铜陶瓷基板，包括从上到下依次设置的铜箔层、陶瓷层和硅基键合石墨烯涂层，所述的硅基键合石墨烯涂层设在所述的陶瓷层的下表面，所述的铜箔层覆在所述的陶瓷层的上表面。本实用新型采用化学气相沉积（CVD）工艺，以含硅化合物作为硅源催化剂，碳氢化合物作为碳源前驱体，在覆铜的陶瓷层表面生长沉积硅基键合的石墨烯涂层，可迅速的将铜箔层上刻蚀的电路或负载的电子器件产生的热量依次通过陶瓷基板和硅基键合的石墨烯涂层散出去。
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公开(公告)号：CN216015351U
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202121006787.4
申请日：2021-05-12
申请人： 郑州大工高新科技有限公司 , 大连理工大学
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/367
摘要： 本实用新型涉及大功率的电子元器件散热领域的技术领域，尤其是一种硅基键合石墨烯陶瓷散热器一体化结构，包括从上到下依次设置的大功率半导体芯片、锡焊层、铜金属线路和硅基键合石墨烯陶瓷散热器，所述的硅基键合石墨烯陶瓷散热器包括陶瓷散热器以及所述的陶瓷散热器表面设有的一层硅基键合石墨烯涂层，本实用新型减少了常规封装结构中间的铜散热基板、导热凝胶结构，降低了热阻，同时再加上硅基键合石墨烯涂层的优良的导热散热能力以及与陶瓷散热器间优良的结合性能，可以大大提高半导体功率电子器件的散热性能。
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公开(公告)号：CN210237770U
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201920903435.5
申请日：2019-06-17
申请人： 郑州大工高新科技有限公司 , 大连理工大学重大装备设计与制造郑州研究院
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/26 , B82Y40/00
摘要： 本实用新型提出了一种用于制备纳米材料的气相反应炉，包括：炉体，炉体安装在炉体支架上，其特征在于：还包括供气系统、升降系统，供气系统设置在炉体的外侧并通过气管与炉体连通，炉体内设有上部导热板、导流均热板、炉腔、两个混气腔，炉体下部设有开口，上部导热板和两个导流均热板包裹在炉腔外部，混气腔位于导流均热板的外侧；在炉体下方还设有升降系统，升降系统上部设有升降台、炉门、下部导热板，炉门与炉体下部开口采用气密性结构密封。其有益效果是：本实用新型解决了小型CVD真空管式炉制备纳米材料面积小，生长不均匀的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211105016U
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201920917311.2
申请日：2019-06-18
申请人： 大连理工大学重大装备设计与制造郑州研究院
摘要： 本实用新型提出了一种连续碳纤维热塑性预浸料制备系统，其组成包括：纱架，在所述纱架上安放碳纤维束，所述纱架的后还包括展纤装置、涂覆装置、热压装置、收卷装置，所述碳纤维束从所述纱架上牵引出经过所述展纤装置均匀展开后进入到所述涂覆装置中，在经过所述涂覆装置喷涂树脂与所述碳纤维束结合后，经所述热压装置的加热和碾压成为浸渍完全的预浸带，最后经所述收卷装置进行收卷。其有益效果是：整套设备尺寸小，整套设备在5m，占地空间小；设备模块化设计，展纤和预浸可以分开进行；该设备能够得到宽度和厚度均匀的纤维带；热压模块能够控制结合体加热过程中的收缩，能够得到厚度均匀的预浸带。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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