Invention Publication
- Patent Title: 串行接口电路、半导体装置以及串行并行转换方法
- Patent Title (English): SERIAL INTERFACE CIRCUIT, SEMICONDUCTOR DEVICE AND SERIAL-PARALLEL CONVERSION METHOD
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Application No.: CN201910136373.4Application Date: 2019-02-25
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Publication No.: CN110209609APublication Date: 2019-09-06
- Inventor: 篠田建
- Applicant: 拉碧斯半导体株式会社
- Applicant Address: 日本神奈川县横滨市港北区新横滨2-4-8(邮编:222-8575)
- Assignee: 拉碧斯半导体株式会社
- Current Assignee: 拉碧斯半导体株式会社
- Current Assignee Address: 日本神奈川县横滨市港北区新横滨2-4-8(邮编:222-8575)
- Agency: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- Agent 马爽; 臧建明
- Priority: 2018-034204 2018.02.28 JP
- Main IPC: G06F13/16
- IPC: G06F13/16 ; G06F13/42 ; H03M9/00

Abstract:
本发明提供一种在串行方式的存储器中可迅速地进行从写入访问转变至读出访问的串行接口电路、半导体装置以及串行并行转换方法。本发明在接收包含串行形态位串的串行信号并将其转换成并行形态而获得并行位群时,生成分别表示各相差位串的1位周期的时机的第1~第n(n为2以上的整数)个时机信号。在第1~第t(t为未满n的整数)个时机信号的时机保持串行信号中所包含位串中的各位,并设为待机位群,在第(t+1)~第n个时机信号的任一个时机信号的时机取入待机位群,并将其设为并行位群的一部分,进而在第(t+1)~第n个时机信号的时机保持串行信号中所包含位串中的各位,并将所保持的位群设为并行位群的另一部分。
Public/Granted literature
- CN110209609B 串行接口电路、半导体装置以及串行并行转换方法 Public/Granted day:2023-07-28
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