发明授权
- 专利标题： GaN层叠体及其制造方法
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申请号： CN201910153350.4申请日： 2019-02-28
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公开(公告)号： CN110219049B公开(公告)日： 2022-09-16
- 发明人: 藤仓序章
- 申请人： 赛奥科思有限公司 , 住友化学株式会社
- 申请人地址： 日本茨城县;
- 专利权人： 赛奥科思有限公司,住友化学株式会社
- 当前专利权人： 赛奥科思有限公司,住友化学株式会社
- 当前专利权人地址： 日本茨城县;
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇; 李茂家
- 优先权： 2018-037475 20180302 JP 2018-113185 20180613 JP
- 主分类号： C30B29/40
- IPC分类号： C30B29/40 ; C30B25/18 ; H01L21/02
摘要：
本发明提供通过利用HVPE使GaN层在GaN基板上生长而得到的新型GaN层叠体及其制造方法。GaN层叠体具有：GaN基板，其由GaN单晶构成，且相对于主面最近的低指数晶面为c面；以及GaN层，其在GaN基板的前述主面上进行外延生长而成，且具有10μm以上的厚度，GaN层的表面具备：由具有GaN的多个分子层以上的高度且沿着规定方向延伸的台阶和平台交替排列而成的台阶‑平台结构。
公开/授权文献
- CN110219049A GaN层叠体及其制造方法 公开/授权日：2019-09-10
IPC分类:
