一种光子芯片及其制备方法，芯片包括铌酸锂薄膜调制器阵列(1)、第一光耦合阵列(2)和二氧化硅波导波分复用器(3)，其中：铌酸锂薄膜调制器阵列(1)由一个及以上的铌酸锂薄膜调制器组成，用于对光信号进行调制；第一光耦合阵列(2)由一个及以上的第一光耦合结构组成，第一光耦合结构的一端连接至对应的铌酸锂薄膜调制器，并且其另一端连接至二氧化硅波导波分复用器(3)，以将调制后的光信号传输至二氧化硅波导波分复用器(3)；二氧化硅波导波分复用器(3)用于对调制后的光信号进行波分复用。实现了片上铌酸锂薄膜调制器与片上波分复用结构的单芯片集成，并提高了器件集成度。