一种基于磁隧道结的存储器及其读写方法、制作方法，存储器包括：M×N存储单元交叉点阵列，包含M条字线与N条位线，M≥3，N≥3，每条字线与每条位线的交叉点连接部位为一存储单元，每个存储单元为1晶体管(T)‑1磁性隧道结(MTJ)结构，该晶体管用于读出操作；其中，该M×N存储单元交叉点阵列的每条字线和位线均单独连接一选择晶体管，用于基于交叉点阵列的串扰特性进行特定写操作，不同的字线与位线接入Vcc和GND的供电方式对应不同的特定存储状态。该存储器基于交叉点阵列的串扰特性进行写入操作，对应不同的供电方式产生特定的数据存储状态，在数据存储、数据恢复和数据加密等领域均具有良好的应用前景。