- 专利标题： 一种用晶体硅金刚线切割废料制备微米级二氧化硅的方法
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申请号： CN201910738681.4申请日： 2019-08-12
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公开(公告)号： CN110282634A公开(公告)日： 2019-09-27
- 发明人: 邢鹏飞 , 孙钰杰 , 李大纲 , 都兴红 , 庄艳歆 , 冯忠宝 , 闫姝
- 申请人： 东北大学
- 申请人地址： 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号
- 专利权人： 东北大学
- 当前专利权人： 东北大学
- 当前专利权人地址： 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号
- 代理机构： 沈阳东大知识产权代理有限公司
- 代理商 梁焱
- 主分类号： C01B33/18
- IPC分类号： C01B33/18
摘要：
一种用晶体硅金刚线切割废料制备微米级二氧化硅的方法，按以下步骤进行：(1)将晶体硅金刚线切割废料破碎磨细制成切割废料粉；(2)将切割废料粉酸洗、水洗后固液分离，获得含水硅粉；(3)将含水硅粉在650～3200℃冶炼，烟气经除尘装置收集粉尘后，空冷至常温。本发明的方法解决了切割废料大量堆放污染环境的问题，由于切割废料价格低廉，直接降低了生产微米级二氧化硅的成本，减少了制备时间，提高了生产效率。
公开/授权文献
- CN110282634B 一种用晶体硅金刚线切割废料制备微米级二氧化硅的方法 公开/授权日：2022-11-04
