公开(公告)号：CN110357115B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN201910738673.X

申请日：2019-08-12

申请人： 东北大学

发明人： 邢鹏飞 ,  孙钰杰 ,  李大纲 ,  都兴红 ,  庄艳歆 ,  冯忠宝 ,  闫姝

IPC分类号： C01B33/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 一种用晶体硅金刚线切割废料制备纳米二氧化硅的方法，按以下步骤进行：(1)将晶体硅金刚线切割废料酸洗制成除杂切割废料；(2)将除杂切割废料与硅微粉混合均匀，制成混合原料；(3)将混合原料在1500～3000℃冶炼，烟气经除尘装置收集粉尘后，粉尘空冷获得纳米二氧化硅。本发明的方法可以低成本生产高质量的纳米二氧化硅；可有效利用废弃的切割废料。

公开(公告)号：CN110357115A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910738673.X

申请日：2019-08-12

申请人： 东北大学

发明人： 邢鹏飞 ,  孙钰杰 ,  李大纲 ,  都兴红 ,  庄艳歆 ,  冯忠宝 ,  闫姝

IPC分类号： C01B33/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 一种用晶体硅金刚线切割废料制备纳米二氧化硅的方法，按以下步骤进行：(1)将晶体硅金刚线切割废料酸洗制成除杂切割废料；(2)将除杂切割废料与硅微粉混合均匀，制成混合原料；(3)将混合原料在1500～3000℃冶炼，烟气经除尘装置收集粉尘后，粉尘空冷获得纳米二氧化硅。本发明的方法可以低成本生产高质量的纳米二氧化硅；可有效利用废弃的切割废料。

公开(公告)号：CN110282634A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910738681.4

申请日：2019-08-12

申请人： 东北大学

发明人： 邢鹏飞 ,  孙钰杰 ,  李大纲 ,  都兴红 ,  庄艳歆 ,  冯忠宝 ,  闫姝

IPC分类号： C01B33/18

摘要： 一种用晶体硅金刚线切割废料制备微米级二氧化硅的方法，按以下步骤进行：(1)将晶体硅金刚线切割废料破碎磨细制成切割废料粉；(2)将切割废料粉酸洗、水洗后固液分离，获得含水硅粉；(3)将含水硅粉在650～3200℃冶炼，烟气经除尘装置收集粉尘后，空冷至常温。本发明的方法解决了切割废料大量堆放污染环境的问题，由于切割废料价格低廉，直接降低了生产微米级二氧化硅的成本，减少了制备时间，提高了生产效率。

公开(公告)号：CN110282634B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN201910738681.4

申请日：2019-08-12

申请人： 东北大学

发明人： 邢鹏飞 ,  孙钰杰 ,  李大纲 ,  都兴红 ,  庄艳歆 ,  冯忠宝 ,  闫姝

IPC分类号： C01B33/18

摘要： 一种用晶体硅金刚线切割废料制备微米级二氧化硅的方法，按以下步骤进行：(1)将晶体硅金刚线切割废料破碎磨细制成切割废料粉；(2)将切割废料粉酸洗、水洗后固液分离，获得含水硅粉；(3)将含水硅粉在650～3200℃冶炼，烟气经除尘装置收集粉尘后，空冷至常温。本发明的方法解决了切割废料大量堆放污染环境的问题，由于切割废料价格低廉，直接降低了生产微米级二氧化硅的成本，减少了制备时间，提高了生产效率。

公开(公告)号：CN110342529A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910738658.5

申请日：2019-08-12

申请人： 东北大学

发明人： 邢鹏飞 ,  孙钰杰 ,  李大纲 ,  都兴红 ,  庄艳歆 ,  冯忠宝 ,  闫姝

IPC分类号： C01B33/12

摘要： 一种用晶体硅金刚线切割废料制备白炭黑的方法，按以下步骤进行：(1)将晶体硅金刚线切割废料加入到碱液中，在温度20～90℃条件下搅拌，然后过滤获得滤液；(2)在温度20～90℃和搅拌条件下，滴加无机酸溶液，pH值为6.0～8.0时，完成反应；(3)过滤水洗后烘干，制成白炭黑。本发明的方法可以低成本生产高质量的白炭黑；提高了废弃切割废料的利用率。