Invention Grant
- Patent Title: 闪存的源端通孔电阻的晶圆允收测试图形
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Application No.: CN201910404531.XApplication Date: 2019-05-16
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Publication No.: CN110289250BPublication Date: 2020-11-24
- Inventor: 张金霜 , 邹荣 , 王奇伟 , 陈昊瑜
- Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
- Assignee: 上海华力集成电路制造有限公司
- Current Assignee: 上海华力集成电路制造有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
- Agency: 上海浦一知识产权代理有限公司
- Agent 郭四华
- Main IPC: H01L23/544
- IPC: H01L23/544 ; G01R31/28
Abstract:
本发明涉及一种闪存的源端通孔电阻的晶圆允收测试图形，涉及半导体集成电路，通过在闪存的源端通孔电阻的晶圆允收测试图形中设计位于半导体衬底上的连接有源区和场氧的源区行线以及源区行线的断开结构，构成由源端通孔、源区行线和连接金属层形成电连接通路，以构成源端通孔电阻测试结构，从而真实模拟了闪存单元包括AA/CG/SAS/CT/M1的复杂结构，因此能更加准确的监控闪存单元上源端通孔的电阻。
Public/Granted literature
- CN110289250A 闪存的源端通孔电阻的晶圆允收测试图形 Public/Granted day:2019-09-27
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IPC分类:
