发明公开
CN110295394A 一种硅酸铋闪烁晶体的旋转下降法生长工艺
无效 - 驳回
- 专利标题： 一种硅酸铋闪烁晶体的旋转下降法生长工艺
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申请号： CN201810245279.8申请日： 2018-03-23
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公开(公告)号： CN110295394A公开(公告)日： 2019-10-01
- 发明人: 周尧 , 袁晖 , 熊巍 , 陈良
- 申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
- 申请人地址： 上海市长宁区定西路1295号
- 专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海硅酸盐研究所中试基地
- 当前专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海硅酸盐研究所中试基地
- 当前专利权人地址： 上海市长宁区定西路1295号
- 代理机构： 上海瀚桥专利代理事务所
- 代理商 曹芳玲; 熊子君
- 主分类号： C30B29/34
- IPC分类号： C30B29/34 ; C30B11/02
摘要：
本发明提供一种硅酸铋闪烁晶体的旋转下降法生长工艺，采用坩埚下降法生长硅酸铋晶体，在坩埚下降的同时使坩埚水平旋转。
IPC分类:
