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公开(公告)号：CN112441617A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910804465.5
申请日：2019-08-28
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
IPC分类号： C01G39/00
摘要： 本发明涉及一种钼酸锂粉体的制备方法，所述钼酸锂粉体的化学式为Li2MoO4，该制备方法包括：（1）按照钼酸锂的化学计量比称取Li2CO3粉末和MoO3粉末作为原料粉体，并量取适量去离子水；（2）将Li2CO3粉末、MoO3粉末和去离子水混合，得到悬浊液；（3）将所得悬浊液加热至40～99℃，直至悬浊液澄清且不再产生气泡，得到透明溶液；（4）将所得透明溶液经过滤后，再经加热蒸干，得到所述钼酸锂粉体。
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公开(公告)号：CN111485279A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010401479.5
申请日：2020-05-13
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
摘要： 本发明公开一种水溶液法低温制备钼酸锂晶体的方法。所述方法包括：将钼酸锂原料溶解于水中，形成钼酸锂饱和溶液；向该饱和溶液中放入钼酸锂晶种；加热所述放入晶种后的饱和溶液，使其保持恒温并稳定蒸发；一段时间后，从所述钼酸锂饱和溶液中提出晶种，烘干得到钼酸锂晶体。
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公开(公告)号：CN110295394A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201810245279.8
申请日：2018-03-23
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
摘要： 本发明提供一种硅酸铋闪烁晶体的旋转下降法生长工艺，采用坩埚下降法生长硅酸铋晶体，在坩埚下降的同时使坩埚水平旋转。
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公开(公告)号：CN110878426A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911193491.5
申请日：2019-11-28
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
摘要： 本发明涉及一种铈离子掺杂的钨酸钆钠晶体及其制备方法和应用，所述钨酸钆钠晶体中掺杂有Ce3+，其化学式为Ce3+:NaGd(WO4)2，Ce3+的掺杂量为0.05～0.8 mol%。
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公开(公告)号：CN106757306B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201611219133.3
申请日：2016-12-26
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及用于制备大截面钨酸铅晶体的坩埚及晶体生长方法，所述坩埚包括用于放置籽晶的籽晶段、以及位于所述籽晶段之后交替排列的放肩段和等径段，所述坩埚的放肩段数≥2、且等径段的直径依次递增。本发明所述坩埚采用多次放肩段和等径段交替设计，使各放肩段生长过程中产生的缺陷和热应力在等径段得到充分消除和减小，避免了一次放肩生长中因缺陷和应力的持续累积所导致的开裂，从而得以制备出完整的晶体。
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公开(公告)号：CN103643293B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310728244.7
申请日：2013-12-25
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明公开了一种硅酸铋闪烁晶体及其制备方法和应用。所述硅酸铋闪烁晶体中掺杂有Y3+，是采用BSO籽晶，在空气氛下用坩埚下降法进行晶体生长而得。研究表明：由于Y3+离子的掺入，在一定程度上减少了异相硅铋化合物和相应宏观缺陷的形成，使所得BSO晶体在可见光波段的透过性能有所提高，尤其对大尺寸BSO晶体闪烁性能的提高具有显著性，进行Y3+掺杂后的硅酸铋闪烁晶体可应用于制备核物理及高能物理探测材料。
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公开(公告)号：CN103643293A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310728244.7
申请日：2013-12-25
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明公开了一种硅酸铋闪烁晶体及其制备方法和应用。所述硅酸铋闪烁晶体中掺杂有Y3+，是采用BSO籽晶，在空气氛下用坩埚下降法进行晶体生长而得。研究表明：由于Y3+离子的掺入，在一定程度上减少了异相硅铋化合物和相应宏观缺陷的形成，使所得BSO晶体在可见光波段的透过性能有所提高，尤其对大尺寸BSO晶体闪烁性能的提高具有显著性，进行Y3+掺杂后的硅酸铋闪烁晶体可应用于制备核物理及高能物理探测材料。
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公开(公告)号：CN101935879B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010274494.4
申请日：2010-09-07
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种Yb3+/Bi3+双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法，属于光学晶体领域。本发明利用Yb3+离子的敏化作用，通过Yb3+—Bin+(n＝0，1，2)之间的能量传递作用，使PWO晶体中Bi离子产生多波段近红外发光。本发明提供的制备方法以高纯Bi2O3、Yb2O3粉料掺入钨酸铅多晶料锭中，采用提拉法及坩埚下降法制备了Yb3+/Bi3+双掺杂钨酸铅晶体，所得晶体中Bi3+的掺杂量为0.1～2.0(at％)，Yb3+的掺杂量为0.3～4.0(at％)。
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公开(公告)号：CN110004493A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910129108.3
申请日：2019-02-21
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种钨酸镧（钆）钠晶体的生长方法，所述钨酸镧（钆）钠晶体为钨酸镧钠晶体或钨酸钆钠晶体，所述方法包括：将晶体原料和籽晶装入坩埚并封闭后，升温至1250～1350℃，待晶体原料全部熔化后，开始晶体的生长，其中，坩埚的下降速率0.3～0.8 mm/h，生长界面的温度梯度为40～70℃/cm；生长结束后，自然冷却至室温，得到所述钨酸镧（钆）钠晶体。
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公开(公告)号：CN104562205A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510044104.7
申请日：2015-01-28
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种阴阳离子共掺杂的硅酸铋闪烁晶体及其制备方法，所述硅酸铋闪烁晶体掺杂有F-和Ba2+。F-离子和Ba2+离子的掺入，在一定程度上补偿了晶体内部局域电荷的不平衡；并且，F可打断硅氧四面体间桥氧并置换桥氧而进入BSO熔体，可减小硅氧集团层间的束缚力，从而降低BSO熔体粘度并减少宏观缺陷。
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