发明授权
- 专利标题: 介质膜沉积方法
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申请号: CN201910614590.X申请日: 2019-07-09
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公开(公告)号: CN110299421B公开(公告)日: 2020-08-14
- 发明人: 戴虹 , 奚明 , 汤亮才 , 刘奎 , 王传博
- 申请人: 理想晶延半导体设备(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市松江区思贤路3255号3号楼B栋四楼
- 专利权人: 理想晶延半导体设备(上海)有限公司
- 当前专利权人: 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市松江区思贤路3255号3号楼B栋四楼
- 代理机构: 上海恒锐佳知识产权代理事务所
- 代理商 黄海霞
- 主分类号: H01L31/0216
- IPC分类号: H01L31/0216 ; C23C16/30 ; C23C16/32 ; C23C16/34 ; C23C16/40 ; C23C16/50
摘要:
本发明提供了一种介质膜沉积方法,包括:通过控制所述单一沉积腔内的机械装置使两个所述待处理表面中的任意一个与所述载片装置或所述机械装置的致密结构件紧密贴合,然后对另一个所述待处理表面进行镀膜处理。所述薄膜沉积方法通过控制所述机械装置使两个所述待处理表面中的任意一个与所述致密结构件紧密贴合,使得无须所述载片装置进出所述单一沉积腔,就能够对另一个所述待处理表面进行所述镀膜处理,从而避免了现有技术中存在的由于工艺流程繁琐造成的产能下降以及产品良率不高的问题。
公开/授权文献
- CN110299421A 介质膜沉积方法 公开/授权日:2019-10-01
IPC分类: