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公开(公告)号：CN118957579A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410887584.2
申请日：2024-07-03
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： C23C28/00 , C23C14/30 , C23C14/16 , H01S5/042 , C23C16/40 , C23C16/50 , C25D3/48 , C25D7/12 , C25D5/02
摘要： 本发明涉及一种大功率半导体激光器晶圆P面电镀金的方法，属于大功率半导体激光器电镀金电极技术领域。本发明的大功率半导体激光器的待镀金区域为薄金种子层，非镀金区域保留部分光刻胶绝缘层，去除光刻胶部分设计有TiPtAu导电桥，有利于晶圆电镀时垂直方向和水平方向的电流为通路，避免了稳流电镀时，电镀电压增大，烧蚀光刻胶现象，从而提高了镀层良率；同时，此方法非镀金区去除光刻胶部分设计有边缘到中间逐渐增多的TiPtAu导电桥，有利于缩小整个晶圆不同区域的电镀电流密度差，从而将镀层均匀性稳定在8％内，有利于大功率半导体激光器的焊线封装。
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公开(公告)号：CN118930930A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410862117.4
申请日：2024-06-28
申请人： 中国乐凯集团有限公司 , 合肥乐凯科技产业有限公司
IPC分类号： C08J7/04 , G09F9/30 , C08J7/046 , C09D183/06 , C09D183/07 , C09D183/08 , C08L67/02 , C23C16/50 , C23C16/40
摘要： 本发明公开了硬化膜及其制备方法和柔性显示器件。制备硬化膜的方法包括：提供柔性基材；在柔性基材的至少一侧形成至少一个硬化耐磨复合层，硬化耐磨复合层包括硬化涂层和耐磨层，耐磨层位于硬化涂层远离柔性基材的表面上；形成硬化耐磨复合层包括以下步骤：第一原料经水解缩合在柔性基材的一侧形成硬化涂层，第一原料包括式(1)所示的第一化合物或者第一化合物和式(2)所示的第二化合物组成的混合物，X‑Y‑SiR’n(OR)3‑n式(1)，Si(OR”)4式(2)，n＝0、1或2；以硅源化合物为第二原料，采用等离子体增强化学气相沉积方法在硬化涂层远离柔性基材的表面形成耐磨层。由此，硬化耐磨复合层具有较好的耐磨性能和耐冷热冲击性能，硬化耐磨复合层与柔性基材结合牢固。
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公开(公告)号：CN118910589A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410957704.1
申请日：2024-07-16
申请人： 黄剑鸣
IPC分类号： C23C16/50
摘要： 本发明公开一种镀膜布制造方法，其包括如下步骤：步骤S1，提供若干缠绕有纱线的纱线卷；步骤S2，将纱线卷上的纱线呈等间距且并排的水平穿过第一镀膜装置的第一沉积腔，第一镀膜装置为PECVD镀膜装置，穿过第一镀膜装置的纱线在第一沉积腔内进行等离子体沉积镀膜形成一层镀膜层；步骤S3，将具有镀膜层的纱线输入织布机中进行经纬编织形成布胚；步骤S4：将布胚呈水平的穿过第二镀膜装置，第二镀膜装置对穿过其内的布胚进行正反面的同时等离子体沉积镀膜形成镀膜布；步骤S5，收卷镀膜布呈捆状。本发明通过对纱线镀膜，以及镀膜后的纱线编织形成的布胚再进行镀膜，进而形成镀膜布；使得镀膜布上的镀膜层附着能力强且均匀性和一致性好。
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公开(公告)号：CN118291898B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410407946.3
申请日：2024-04-07
申请人： 靖江特殊钢有限公司
摘要： 本发明涉及钛合金表面处理技术领域，具体为一种钛合金油套管的表面耐蚀工艺，包括以下工艺：步骤(1)热轧：将钛合金坯料加热，穿孔，连轧，定径，得到钛合金管；步骤(2)表面处理：对上一步骤得到的钛合金管进行表面处理，形成耐蚀保护层，得到耐腐蚀钛合金管。本发明通过等离子体增强气相沉积技术，在钛合金的表面依次沉积硼碳氮和碳化硅掺杂氮化钛，并依次形成硼碳氮膜和氮化钛膜，并使用封孔剂进行封闭，得到耐蚀保护层，能够对环境中的水分、氯离子、氧等进行物理阻隔，并能够阻碍金属阳极腐蚀反应，降低电化学腐蚀速率，提高钛合金油套管的耐腐蚀能力。
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公开(公告)号：CN118829301A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410847143.X
申请日：2024-06-27
申请人： 安徽芯视佳半导体显示科技有限公司
IPC分类号： H10K59/124 , H10K59/122 , H10K59/80 , H10K71/16 , H10K71/00 , C23C14/24 , C23C14/12 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/50 , C23C16/455 , C23C28/00
摘要： 本发明公开了一种全彩硅基OLED显示器件结构及其制作方法，具有如下结构：第一层：金属Al或者金属Ag；第二层：ITO；第三层：氮化硅；第四层：氧化硅；第五层：ITO；第六层：TiN或者TaN；第七层：Ti或者Ta；第八层：氮化硅或者氧化硅或者氮氧化硅；第九层：蓝色OLED；第十层：绿色OLED；第十一层：红色OLED；第十二层：阴极；第十三层：第一次封装氮化硅；第十四层：第二次封装氮化硅；第十五层：氮化铝。
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公开(公告)号：CN118750037A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410797060.4
申请日：2024-06-20
申请人： 顺德职业技术学院 , 苏州恒之清生物科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种微型空心硅针及其微型空心硅针阵列的制作方法，其特点是包括针头，针头包括底面、第一面、第二面及第三面，底面、第一面、第二面及第三面共同组成三棱锥，第二面及第三面为相同的直角三角形，第一面是等腰三角形，底面的长度L的范围是145um至165um，底面的两侧边的倾斜角是b，b的范围是25°至35°；三棱锥的高度是D，D的范围是250um至300um,第一面向下倾斜的角度是a，a的范围是50°至60°；在第一面上开设有上下贯穿的组织液提取孔。其优点是：采用三棱锥的造型，提取组织液的量多，可以进行有效的血糖检测，生产简单，生产成本和使用成本得到控制。
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公开(公告)号：CN118745572A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410883945.6
申请日：2024-07-03
申请人： 深圳市奥伦德元器件有限公司
摘要： 本发明涉及一种基于镓铝砷外延合金及其制备方法，包括：镓铝砷外延层；第一氧化层，第一氧化层包括多个经一次光刻形成的第一窗口和第一凸块，第一窗口与所述第一凸块间隔分布；第一金属层；第二氧化层，第二氧化层包括多个经二次光刻形成的第二窗口和第二凸块，第二窗口与所述第二凸块间隔分布，第一窗口与第二窗口的垂直方向上错位排列；第二金属层。基于镓铝砷外延合金通过高致密性的氧化层去改善镓铝砷外延与金属层接触的合金方法，具有优良的金属与镓铝砷材料键合性能，改善金属层与外延层之间的欧姆接触，降低电极脱落的风险。
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公开(公告)号：CN116121735B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202211577691.2
申请日：2022-12-09
申请人： 江苏籽硕科技有限公司
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/458
摘要： 本发明提供一种等离子体增强化学气相沉积设备，涉及太阳能电池镀膜技术领域。该等离子体增强化学气相沉积设备，包括设备主体，所述设备主体的内部设置有沉积室，所述沉积室的顶部固定连接有第一电极板，所述沉积室的底部固定连接有第二电极板，所述第二电极板的顶部放置有托盘；所述托盘的内部设置有滑槽，并且滑槽的内部设置有滑动连接有挡板，所述挡板的内壁上固定连接有横向侧板与纵向侧板。通过设置滑槽、挡板、放置腔、挤压板、滑杆、顶紧弹簧、固定板和阻挡块，当工作人员需要对太阳能电池进行翻面时，工作人员用手下压挡板，使挡板进入滑槽内并且将太阳能电池从放置腔内移出，方便工作人员对太阳能电池进行翻面。
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公开(公告)号：CN118715339A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202380022149.7
申请日：2023-01-19
申请人： 日东电工株式会社
摘要： 一种等离子体CVD装置(1)，其具备一对成膜辊(2A、2B)、一对磁场产生部件(3A、3B)、一对位置调整部件(4A、4B)、以及气体供给部(5)。一对成膜辊(2A、2B)相互分离地对置配置。一对磁场产生部件(3A、3B)配置于一对成膜辊(2A、2B)各自的内部。一对磁场产生部件(3A、3B)使一对成膜辊(2A、2B)之间产生磁场。一对位置调整部件(4A、4B)分别调整一对磁场产生部件(3A、3B)的位置。气体供给部(5)向一对成膜辊(2A、2B)之间供给成膜气体。一对位置调整部件(4A、4B)构成为调整一对磁场产生部件(3A、3B)的位置，以使一磁场产生部件(3A、3B)和气体供给部之间的距离、与另一磁场产生部件(3A、3B)和气体供给部之间的距离相同。
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