发明授权
摘要:
本发明属于存储器领域,公开了一种基于声体波激励的电控磁子阀结构,包括自上而下位于衬底(1)上的薄膜声体波谐振器子结构、磁子阀子结构及铁电交换偏置异质结子结构;薄膜声体波谐振器子结构用于向磁子阀子结构提供声体波激励;利用薄膜声体波谐振器子结构调控所产生的声体波的谐振频率与振幅,实现铁磁共振以激发磁子阀子结构中磁子流的大小,从而实现该磁子阀子结构的导通与截止,实现对该磁子阀子结构其磁子阀效应的激励。本发明通过对磁子阀关键的激励方式,对应配合设置的其他子结构等进行改进,使得该结构能够通过FBAR调整谐振频率与振幅实现铁磁共振以激发磁子阀中磁子流大小,实现器件的开断,达到存储的功能。
公开/授权文献
- CN110299446A 基于声体波激励的电控磁子阀结构 公开/授权日:2019-10-01
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