本发明涉及一种光电设备(5)，包括：发光二极管(LED)，每个发光二极管包括对应于纳米线、微米线、和/或纳米或微米范围的棱锥结构的半导体元件(22)，以及至少部分地覆盖所述半导体元件并且适于发射辐射的壳体(24)；以及针对每个发光二极管的光致发光涂层(28R，28G，28B)，其包括单量子阱、多量子阱或异质结构，覆盖所述壳体的至少一部分并与所述壳体或所述半导体元件接触，并且适于通过光学泵浦将所述壳体发射的辐射转换成另一辐射。