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公开(公告)号：CN114512504B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202210108764.7
申请日：2022-01-28
申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种防光串扰Micro‑LED芯片结构、制备方法及显示装置，该芯片结构包括：透明基板；多个LED像素单元，每个LED像素单元的N型外延层具有mesa台阶；相邻两个LED像素单元之间通过第一沟槽间隔开；N电极单元；吸光层，设置在第一沟槽所在的透明基板上、以及N电极单元与其相邻的LED像素单元之间的透明基板上；吸光层的材料为黑色导电材料；金属导电层，覆盖在每个LED像素单元的N型外延层的mesa台阶的两侧与侧壁上以及吸光层上，以使得所有的LED像素单元的N型外延层电性连接；且所有的LED像素单元的N型外延层电性连接至N电极单元；绝缘层；P电极，贯穿绝缘层后设置于LED像素单元的P型外延层上；N电极，贯穿绝缘层后设置于N电极单元上。
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公开(公告)号：CN118507615A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310151995.0
申请日：2023-02-15
申请人： 华为技术有限公司
摘要： 本申请实施例提供一种发光芯片及其制备方法、光模块、显示模组、电子设备，涉及光通信和显示技术领域，用于减小发光芯片的发散角。发光芯片，包括：设置于衬底上的外延层、开设于外延层的多个凹槽以及覆盖多个凹槽的第二发光层，被第二发光层覆盖的多个凹槽形成光栅结构。其中，外延层被划分为第一区域和第二区域，第二区域环绕于第一区域的外围。多个凹槽开设于第二区域，且多个凹槽沿远离第一区域的方向排布。
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公开(公告)号：CN118486771A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410782332.3
申请日：2024-06-18
申请人： 华引芯(武汉)科技有限公司
摘要： 本申请提供一种微型发光二极管显示模组及其制备方法，微型发光二极管显示模组包括驱动基板和多个发光结构，多个发光结构设置于驱动基板的一侧，并与驱动基板电性连接，每个发光结构包括在背离驱动基板的方向上依次层叠设置的P型半导体层、量子阱发光层、N型半导体层；其中，每个发光结构中的P型半导体层、量子阱发光层、N型半导体层的截面长度依次减小，多个发光结构中的多个N型半导体层相互间隔设置。本申请提供的微型发光二极管显示模组中，发光结构的发光亮度较高，能够改善相关技术中存在的LED芯片的亮度较低的问题，且多个发光结构中的多个N型半导体层相互间隔设置，能够改善相邻的多个LED芯片光串扰的问题。
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公开(公告)号：CN118398736A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410531402.8
申请日：2020-03-13
申请人： 厦门三安光电有限公司
摘要： 一种半导体发光元件，其包括：透光衬底，由第一材料组成，透光衬底具有第一表面，第一表面包括第一区域和第二区域；半导体发光序列，堆叠在透光衬底的第一表面的第一区域，自第一表面开始依次包括第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；透光衬底的第一表面的第一区域具有第一表面积与第一投影面积，透光衬底的第一表面第二区域具有第二表面积与第二投影面积，第二表面积与第二投影面积的比值大于第一表面积与第一投影面积的比值。
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公开(公告)号：CN118380524A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410803746.X
申请日：2024-06-20
申请人： 聚灿光电科技股份有限公司 , 天津工业大学
摘要： 本发明公开了一种GaN基自发白光LED外延薄膜结构及其制备方法。该结构主要包括蓝宝石图形化衬底、缓冲层、uGaN层、粗化多孔层、n‑GaN层、黄光量子阱层、电子阻挡层以及p型层。其中，粗化多孔层由交替生长的InGaN层和GaN层组成，通过特定的温度和H2蚀刻处理形成多孔结构，实现了蓝色发光。黄光量子阱层则负责黄色波段的发光。本发明无需荧光粉即可实现自发白光，简化了生产工艺，降低了成本，并提高了光源的稳定性和可控性。此技术可广泛应用于照明、显示及背光等领域，具有显著的市场潜力和实用价值。
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公开(公告)号：CN113302753B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201980085245.X
申请日：2019-12-18
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
摘要： 一种光电子半导体器件(10)具有有源区(120)，所述有源区包含用于构成量子阱结构的子层(111、112、113)。在此，在量子阱结构之内的能量级差在光电子半导体器件(10)的中央区域(14)中比在光电子半导体器件(10)的边缘区域(15)中更小。根据其他实施方式，光电子半导体器件(10)具有有源区(120)，所述有源区包含适合于构成量子阱结构的子层。在此，在有源区(120)中在光电子半导体器件的中央区域(14)中构成量子点结构(122)。在光电子半导体器件(10)的边缘区域(15)中不构成量子点结构。
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公开(公告)号：CN113937198B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111198534.6
申请日：2021-10-14
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及LED芯片及其制备方法。通过改变第一电极的结构，在手指电极的一端增加圆孔结构的电极设计，使第一电极层的圆孔结构的电极的上方只包括同极性的金属电极层和焊盘层，不会因保护层的断裂或损坏造成不同极性的电极连通，避免了现有ODR结构容易漏电的问题，提高了LED芯片的稳定性和可靠性。并且，通过手指电极的延伸实现电流传导，避免造成电流拥堵，从而保证芯片具有较好的发光分布。
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公开(公告)号：CN118073496A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211468896.7
申请日：2022-11-22
申请人： 重庆康佳光电技术研究院有限公司
摘要： 本发明涉及一种发光二极管及其制备方法、显示面板。所述发光二极管包括：第一半导体层；发光层，设置于第一半导体层上；第二半导体层，设置于发光层上；其中，第二半导体层设置有沟槽，且沟槽的侧壁设置有反射层，反射层用于对射入沟槽内的光束进行反射。本发明通过在第二半导体层上设置沟槽和反射层来改变光路，使从发光层射出的光束可以得到聚集，不仅提高了光束角度集中性，还可以减少部分光束反射回发光层而被吸收。
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公开(公告)号：CN118073495A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211468877.4
申请日：2022-11-22
申请人： 重庆康佳光电技术研究院有限公司
摘要： 本发明涉及一种发光二极管及其制备方法、显示面板，所述发光二极管包括：第一半导体层；发光层，设置于第一半导体层上；第二半导体层，设置于发光层上；其中，第二半导体层设置有侧壁的斜率不完全相同的沟槽，且部分沟槽或全部沟槽的侧壁设置有反射层，反射层用于将射入沟槽内的光束向背离所述发光层的一侧射出。本发明通过在第二半导体层上设置沟槽和反射层来改变光路，可以利用反射层来将射入沟槽内的光束向背离发光层一侧射出，从而减少部分光束反射回发光层而被吸收。同时，多个沟槽的侧壁的斜率不完全相同，不仅可以增加光束反射路径，而且不同斜率的反射层可以对发光层射出的光束进行聚集，提高光束反射角度集中性，进一步减少光束被吸收。
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