提供了一种半导体器件和制造其的方法，该制造半导体器件的方法包括：图案化衬底以形成多个有源图案，所述有源图案包括其间具有第一沟槽的两个相邻的有源图案；在所述多个有源图案上形成半导体层以覆盖所述多个有源图案；在半导体层上形成器件隔离层，以覆盖半导体层用于氧化并且填充第一沟槽；图案化器件隔离层和所述多个有源图案，使得与第一沟槽交叉的第二沟槽被形成，并且所述两个有源图案在第二沟槽中从器件隔离层突出；以及在第二沟槽中形成栅电极。这里，覆盖所述两个有源图案的每个的顶表面的半导体层的第一厚度大于覆盖第一沟槽的底部的半导体层的第二厚度。