- 专利标题: 硅钛比可调的具有有序多级孔的TS-1分子筛单晶及其制备方法
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申请号: CN201910518593.3申请日: 2019-06-15
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公开(公告)号: CN110330025B公开(公告)日: 2023-04-07
- 发明人: 陈丽华 , 侯月新 , 雷坤皓 , 胡念 , 肖珊珊 , 何小可 , 王朝
- 申请人: 武汉理工大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 专利权人: 武汉理工大学
- 当前专利权人: 武汉理工大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 代理机构: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- 代理商 乔宇
- 主分类号: C01B37/00
- IPC分类号: C01B37/00 ; B01J29/89
摘要:
本发明公开了一种硅钛比可调的具有有序多级孔的TS‑1分子筛单晶及其制备方法。该TS‑1分子筛单晶为微米级单晶,由纳米级小晶粒堆积而成,同时具有微孔和两种不同尺寸的介孔。其制备为:(1)制备介孔碳包裹SiO2硬模板;(2)将四乙基氢氧化铵、钛源和水混合得到微孔结构导向剂前驱液,pH为13.5‑13.8;(3)微孔结构导向剂前驱液浸渍步骤(1)得到的介孔碳包裹SiO2硬模板,老化、晶化、煅烧后得硅钛比可调的具有有序多级孔的TS‑1分子筛单晶。本发明提供的TS‑1分子筛单晶硅钛比可调,比表面积大、反应活性位点多,具有更多不同尺寸的孔道结构,为催化不同的反应体系提供了更多的选择。
公开/授权文献
- CN110330025A 硅钛比可调的具有有序多级孔的TS-1分子筛单晶及其制备方法 公开/授权日:2019-10-15