发明公开
- 专利标题: 碳化硅单晶生长装置及制造碳化硅单晶的方法
- 专利标题(英): Carbonized silicon single crystal growing device and method for producing carbonized silicon single crystal
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申请号: CN201910626447.2申请日: 2019-07-11
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公开(公告)号: CN110331437A公开(公告)日: 2019-10-15
- 发明人: 徐良 , 蓝文安 , 占俊杰 , 阳明益 , 刘建哲 , 余雅俊
- 申请人: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
- 申请人地址: 浙江省金华市南二环西路2688号
- 专利权人: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
- 当前专利权人: 金华博蓝特新材料有限公司
- 当前专利权人地址: 321000 浙江省金华市婺城区秋滨街道南二环西路2688号1#厂房1楼南侧
- 代理机构: 北京辰权知识产权代理有限公司
- 代理商 董李欣
- 主分类号: C30B23/00
- IPC分类号: C30B23/00 ; C30B29/36
摘要:
本发明涉及半导体材料长晶领域,具体涉及一种碳化硅单晶生长装置,包括:顶部开口的坩埚,放置碳化硅原料;基座,一侧表面为单晶生长面;翻转板,翻转板和基座一起设置于坩埚的顶部开口处;第一驱动机构,使得翻转板带动基座的单晶生长面在朝向坩埚内部和背离坩埚内部之间进行切换。本发明实施例通过设置供料机构,将富碳的非化学计量比的碳化硅加以调整,调整回富硅的非化学计量比的碳化硅。同时设置翻转板,籽晶在翻转板的带动下背向碳化硅原料,这样可以避免未平衡的碳化硅源升华至籽晶表面,造成晶体质量不佳。从而解决了碳化硅从富硅朝富碳变化导致的晶体质量下降的问题,增加了晶体生长长度、提升了长晶效益、提高了碳化硅单晶的质量。
公开/授权文献
- CN110331437B 碳化硅单晶生长装置及制造碳化硅单晶的方法 公开/授权日:2020-04-24