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公开(公告)号：CN110331437B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201910626447.2
申请日：2019-07-11
申请人： 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体材料长晶领域，具体涉及一种碳化硅单晶生长装置，包括：顶部开口的坩埚，放置碳化硅原料；基座，一侧表面为单晶生长面；翻转板，翻转板和基座一起设置于坩埚的顶部开口处；第一驱动机构，使得翻转板带动基座的单晶生长面在朝向坩埚内部和背离坩埚内部之间进行切换。本发明实施例通过设置供料机构，将富碳的非化学计量比的碳化硅加以调整，调整回富硅的非化学计量比的碳化硅。同时设置翻转板，籽晶在翻转板的带动下背向碳化硅原料，这样可以避免未平衡的碳化硅源升华至籽晶表面，造成晶体质量不佳。从而解决了碳化硅从富硅朝富碳变化导致的晶体质量下降的问题，增加了晶体生长长度、提升了长晶效益、提高了碳化硅单晶的质量。
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公开(公告)号：CN110509133A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910736540.9
申请日：2019-08-09
申请人： 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明提供的一种蓝宝石衬底切割片再生加工方法，涉及半导体技术领域，步骤如下：a、选取待加工的衬底切割片；b、将衬底切割片的单面固定于万向平台上；c、通过研磨砂轮对所述衬底切割片的待加工面上具有厚度差异、表面晶体轴向偏轴的部位进行研磨修整。在上述技术方案中，搭配万向平台和研磨砂轮，可以修复切割衬底时由于金刚石线端跳、定角时角度定错等问题而造成的厚度差异过大、表面晶体轴向偏轴的缺陷，使缺陷衬底切割片经过研磨修整后能够重复使用。
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公开(公告)号：CN110359087A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910625636.8
申请日：2019-07-11
申请人： 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体材料长晶领域，具体涉及提供了一种碳化硅单晶生长装置，包括：承料坩埚，用于放置碳化硅原料；第一感应加热线圈，设置于整个承料坩埚的外周；第二感应加热线圈，设置于第一感应加热线圈的外周；第二感应加热线圈的位置靠近承料坩埚的底部，且第二感应加热线圈的频率大于第一感应加热线圈的频率。通过在第一感应加热线圈的外侧设置第二感应加热线圈，通过控制器根据温度数据独立控制第一感应加热线圈和/或第二感应加热线圈，以达到承料坩埚内部轴向温度梯度的“微调”，从而实现精确控制轴向温度梯度、获得理想晶体生长界面、得到高质量的碳化硅单晶的目的。
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公开(公告)号：CN109968191A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811453255.8
申请日：2018-11-30
申请人： 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明公开一种蓝宝石衬底贴片方法，包括点胶阀、滑轨、数显调压阀、储蜡桶。通过该设计方法，将晶片甩蜡烘烤后放置于吸盘上，通过点胶阀在晶片中心位置滴一滴蜡，增加中间位置蜡膜厚度后贴附在陶瓷盘上。人为干预晶片下方蜡膜的厚度来控制加工后晶片的整体形状，该发明可以省略晶片正负BOW分选动作。
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公开(公告)号：CN111621851B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010322798.7
申请日：2020-04-22
申请人： 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体的生长装置和生长方法，该生长装置包括坩埚组件、籽晶固定器、气体系统和温控系统，所述坩埚组件包括坩埚体、石墨隔板和坩埚盖，所述石墨隔板设置在坩埚体上部，并且石墨隔板上具有通气孔结构，所述坩埚盖盖设在坩埚体上以构成坩埚内部容纳腔；所述籽晶固定器设置在坩埚盖内侧，且位于石墨隔板上方；所述气体系统包括进气管路和排气管路；所述进气管路与设置在坩埚体上的进气口连接，所述进气口位于石墨隔板下方；所述排气管路与设置在坩埚盖上的排气口连接；所述温控系统用于控制对所述坩埚组件加热。通过石墨隔板对向上升华的气相物进行整流，降低生产成本的同时提升晶体的合格率及品质。
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公开(公告)号：CN110712071A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910796153.4
申请日：2019-08-27
申请人： 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种蓝宝石单面抛光厚度不良返抛方法及返抛装置，该方法包括：根据返抛晶片的硬度、坑点、局部厚度差、平整度、背面所需粗糙度和缺陷类型的对晶片进行分组；确定每组返抛晶片使用的晶片载盘材料、抛光垫材料、机台盘材料、机台盘形状和抛光液材料，组装返抛设备；将每组返抛晶片依次按照中心厚度的数值分成若干处理批次；将每组反抛晶片按批次在对应定好的返抛设备上返抛至完成；返抛装置包括机台盘、抛光垫和晶片载盘，抛光垫设置于机台盘的上表面，晶片载盘位于机台盘的上方。本发明的蓝宝石单面抛光厚度不良返抛方法及返抛装置，能达到晶片背面粗糙度均匀性的要求，并能提升晶片的返修良率，经检测返修良率可达95％以上。
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公开(公告)号：CN110331437A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910626447.2
申请日：2019-07-11
申请人： 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体材料长晶领域，具体涉及一种碳化硅单晶生长装置，包括：顶部开口的坩埚，放置碳化硅原料；基座，一侧表面为单晶生长面；翻转板，翻转板和基座一起设置于坩埚的顶部开口处；第一驱动机构，使得翻转板带动基座的单晶生长面在朝向坩埚内部和背离坩埚内部之间进行切换。本发明实施例通过设置供料机构，将富碳的非化学计量比的碳化硅加以调整，调整回富硅的非化学计量比的碳化硅。同时设置翻转板，籽晶在翻转板的带动下背向碳化硅原料，这样可以避免未平衡的碳化硅源升华至籽晶表面，造成晶体质量不佳。从而解决了碳化硅从富硅朝富碳变化导致的晶体质量下降的问题，增加了晶体生长长度、提升了长晶效益、提高了碳化硅单晶的质量。
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公开(公告)号：CN109461798A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811390744.3
申请日：2018-11-21
申请人： 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/007
摘要： 本发明公布了一种用于蓝宝石衬底片背面缺陷再生处理方法，在实施方案中，提供了一种蓝宝石衬底片背面缺陷再生处理流程，包括在纳米级蓝宝石抛光面上贴上一层保护胶带，并以高压喷砂装置处理背面缺陷，然后经退火前清洗并进行高温退火，退火后之蓝宝石衬底片再次进行化学机械抛光，最终形成背面缺陷再生之纳米级蓝宝石抛光片，这种再生处理工艺极大地降低蓝宝石衬底片不良比例，提高了蓝宝石衬底片制造的产出效率。
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公开(公告)号：CN108807147A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810637647.3
申请日：2018-06-20
申请人： 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/02104 , H01L21/02112 , H01L21/02175 , H01L21/027
摘要： 本发明公开一种新型多层复合图形化蓝宝石衬底的制备方法，其方法为，利用光学镀膜技术在一片光洁的蓝宝石衬底晶片上依次沉积一定厚度的氧化硅(SiO2)薄膜、氧化锆(ZrO2)薄膜和氧化钛(TiO2)薄膜，接着在其上均匀涂布一层紫外正向光刻胶，然后进行步进式曝光和显影工序；再进行ICP干法蚀刻，刻蚀完成后进行清洗，最后在其上沉积一层氮化铝(AlN)薄膜，得到多层复合图形化蓝宝石衬底晶片。本发明首先通过三种折射率依次递减薄膜材料的组合，增加了出光反射次数，使全反射现象发生的几率最小，从而可有效提高Mini‑LED的垂直光通量。相对使用传统图形化蓝宝石衬底的LED芯片亮度提高约10％以上，其次通过沉积氮化铝薄膜，AlN薄膜能极大地降低了外延生长中的翘曲，使氮化镓可以在复合薄膜上生长，进一步降低氮化镓的缺陷密度，LED芯片的输出功率可提高2％以上。
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公开(公告)号：CN112725886A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011511534.2
申请日：2020-12-18
申请人： 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置及其生长方法、碳化硅晶锭，该碳化硅晶体生长装置包括石墨坩埚和加热装置，石墨坩埚包括呈上大下小圆台状的坩埚本体，所述坩埚本体包括具有开口的容纳腔；所述加热装置可上下移动的设置在所述坩埚本体外部。该碳化硅晶体生长装置采用外形呈上大下小圆台状的石墨坩埚，相对于直立结构坩埚其能够改变坩埚本体内部晶体生长的温度场，有利于生长形状平整的大尺寸高质量碳化硅晶锭，同时更加节约碳化硅晶体生长原料，而且加热装置可以相对于坩埚上下移动，能够进一步有利于晶锭长度的增加。
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