- 专利标题: 一种脉冲电场辅助的薄膜制备或处理的装置及方法
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申请号: CN201910775352.7申请日: 2019-08-21
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公开(公告)号: CN110344015B公开(公告)日: 2020-09-04
- 发明人: 李国建 , 兰明迪 , 刘诗莹 , 刘晓明 , 吕汶璋 , 王强
- 申请人: 东北大学
- 申请人地址: 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号
- 专利权人: 东北大学
- 当前专利权人: 东北大学
- 当前专利权人地址: 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号
- 代理机构: 大连东方专利代理有限责任公司
- 代理商 毛薇; 李馨
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35 ; C23C14/58
摘要:
本发明提供一种脉冲电场辅助的薄膜制备或处理的装置及方,脉冲电场下制备薄膜材料,所述制备方式是将物理气相沉积方法与脉冲电场相结合,利用脉冲电场下产生的焦耳热效应代替传统加热方式;脉冲电场下氧化处理薄膜材料,所述处理方式是在大气条件下便可以实现薄膜材料的氧化处理,并且处理时间短,温度要求低,无需真空高氧环境便可实现;脉冲电场热处理薄膜材料,所述处理方式主要是利用脉冲电流发生器形成的脉冲电场对已制备电薄膜进行热处理。在脉冲电场制备薄膜材料时由于脉冲电场可以瞬时升温、降温,所以在制备过程中将改变薄膜微观结构以及性能。
公开/授权文献
- CN110344015A 一种脉冲电场辅助的薄膜制备或处理的装置及方法 公开/授权日:2019-10-18
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