发明公开
CN110359012A 用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构及制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构及制备方法
- 专利标题(英): Nested micro-trap structure for inhibiting secondary electron emission and preparation method
-
申请号: CN201811368387.0申请日: 2018-11-16
-
公开(公告)号: CN110359012A公开(公告)日: 2019-10-22
- 发明人: 李东 , 封国宝 , 王琪 , 何鋆 , 胡天存
- 申请人: 北京理工大学 , 西安空间无线电技术研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村南大街5号
- 专利权人: 北京理工大学,西安空间无线电技术研究所
- 当前专利权人: 北京理工大学,西安空间无线电技术研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村南大街5号
- 代理机构: 北京理工正阳知识产权代理事务所
- 代理商 王民盛
- 主分类号: C23C14/16
- IPC分类号: C23C14/16 ; C23C14/02 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明公开的用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构及制备方法,涉及物理电子学相关领域。本发明公开的用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构为双重嵌套式孔结构,在一级大孔内包含了若干二级小孔结构,所述一级大孔作为初级陷阱,若干二级小孔结构作为嵌套陷阱;整体二维嵌套式陷阱结构在基底材料上构型,所述的构型为双重嵌套式孔结构,并对所述双重嵌套式孔结构进行金属溅射并形成纳米级膜。本发明还公开所述嵌套式微陷阱结构的制备方法,本发明能够有效抑制陷阱结构内的二次电子出射和再发射所产生的多级倍增效应,从而达到提高材料表面总二次电子发射抑制效果,并提供所述嵌套式微陷阱结构的制备方法。
公开/授权文献
- CN110359012B 用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构及制备方法 公开/授权日:2020-06-16
IPC分类: