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公开(公告)号：CN109524750B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201811369293.5
申请日：2018-11-16
申请人： 北京理工大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC分类号： H01P1/208
摘要： 本发明公开的一种降低圆波导双工器无源互调装置及方法，涉及微波无线通信领域。本发明公开的一种降低圆波导双工器无源互调装置及方法，利用介质法兰实现金属‑空气‑金属的接触，利用介质片实现金属‑非导电介质‑金属的接触，实现抑制微波部件无源互调。本发明装置包括非导电介质法兰、固定非导电介质法兰所需的金属螺钉、非导电介质片、非导电介质套、非导电介质螺钉。本发明具有结构简单、重量轻、设计成本率高、设计周期短的优点。本发明能够广泛应用于航空航天领域及地面通信领域。
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公开(公告)号：CN109546274A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811368226.1
申请日：2018-11-16
申请人： 北京理工大学 , 西安空间无线电技术研究所
摘要： 本发明公开一种降低同轴滤波器无源互调装置及方法，涉及微波无线通信领域。包括调频率、调耦合螺钉、金属盖板、金属腔体、谐振杆。所述产生无源互调位置包括调频率、调耦合螺钉处、同轴谐振杆的结构与金属腔体连接处、金属腔体连接处、金属盖板与金属腔体连接处。通过非导电介质实现金属-非导电介质-金属的接触，通过增压圈实现金属盖板和金属腔体的高压接触，实现抑制同轴滤波器带来的无源互调。本发明具有结构简单、重量轻、设计周期短、设计成本低的优点。本发明能够广泛应用于航空航天领域及地面通信领域。
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公开(公告)号：CN109359423B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201811369311.X
申请日：2018-11-16
申请人： 北京理工大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC分类号： G06F30/20
摘要： 本发明公开的一种快速确定矩形波导法兰3阶无源互调产物电平的方法，属于微波部件无源互调领域。本发明实现方法为：步骤1：将矩形波导法兰接触面等效为金属‑绝缘层‑金属结构，确定矩形波导法兰接触面两侧的电势差；步骤2：利用矩形波导尺寸、法兰接触面积以及接触面两侧的电势差确定矩形波导法兰接触面产生的3阶非线性电流；步骤3：利用载波频率、矩形波导尺寸以及3阶非线性电流，确定矩形波导法兰3阶无源互调产物的电平。本发明在无需提前获取无源互调低阶产物和表面形貌参数测量值的情况下，通过简单计算获得矩形波导法兰的3阶无源互调产物电平，因而能够大幅提高矩形波导法兰无源互调问题的解决效率，降低成本。
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公开(公告)号：CN110359012B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201811368387.0
申请日：2018-11-16
申请人： 北京理工大学 , 西安空间无线电技术研究所
摘要： 本发明公开的用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构及制备方法，涉及物理电子学相关领域。本发明公开的用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构为双重嵌套式孔结构，在一级大孔内包含了若干二级小孔结构，所述一级大孔作为初级陷阱，若干二级小孔结构作为嵌套陷阱；整体二维嵌套式陷阱结构在基底材料上构型，所述的构型为双重嵌套式孔结构，并对所述双重嵌套式孔结构进行金属溅射并形成纳米级膜。本发明还公开所述嵌套式微陷阱结构的制备方法，本发明能够有效抑制陷阱结构内的二次电子出射和再发射所产生的多级倍增效应，从而达到提高材料表面总二次电子发射抑制效果，并提供所述嵌套式微陷阱结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN110359012A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201811368387.0
申请日：2018-11-16
申请人： 北京理工大学 , 西安空间无线电技术研究所
摘要： 本发明公开的用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构及制备方法，涉及物理电子学相关领域。本发明公开的用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构为双重嵌套式孔结构，在一级大孔内包含了若干二级小孔结构，所述一级大孔作为初级陷阱，若干二级小孔结构作为嵌套陷阱；整体二维嵌套式陷阱结构在基底材料上构型，所述的构型为双重嵌套式孔结构，并对所述双重嵌套式孔结构进行金属溅射并形成纳米级膜。本发明还公开所述嵌套式微陷阱结构的制备方法，本发明能够有效抑制陷阱结构内的二次电子出射和再发射所产生的多级倍增效应，从而达到提高材料表面总二次电子发射抑制效果，并提供所述嵌套式微陷阱结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN109359423A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811369311.X
申请日：2018-11-16
申请人： 北京理工大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开的一种快速确定矩形波导法兰3阶无源互调产物电平的方法，属于微波部件无源互调领域。本发明实现方法为：步骤1：将矩形波导法兰接触面等效为金属-绝缘层-金属结构，确定矩形波导法兰接触面两侧的电势差；步骤2：利用矩形波导尺寸、法兰接触面积以及接触面两侧的电势差确定矩形波导法兰接触面产生的3阶非线性电流；步骤3：利用载波频率、矩形波导尺寸以及3阶非线性电流，确定矩形波导法兰3阶无源互调产物的电平。本发明在无需提前获取无源互调低阶产物和表面形貌参数测量值的情况下，通过简单计算获得矩形波导法兰的3阶无源互调产物电平，因而能够大幅提高矩形波导法兰无源互调问题的解决效率，降低成本。
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公开(公告)号：CN109524750A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811369293.5
申请日：2018-11-16
申请人： 北京理工大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC分类号： H01P1/208
摘要： 本发明公开的一种降低圆波导双工器无源互调装置及方法，涉及微波无线通信领域。本发明公开的一种降低圆波导双工器无源互调装置及方法，利用介质法兰实现金属-空气-金属的接触，利用介质片实现金属-非导电介质-金属的接触，实现抑制微波部件无源互调。本发明装置包括非导电介质法兰、固定非导电介质法兰所需的金属螺钉、非导电介质片、非导电介质套、非导电介质螺钉。本发明具有结构简单、重量轻、设计成本率高、设计周期短的优点。本发明能够广泛应用于航空航天领域及地面通信领域。
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公开(公告)号：CN111748769B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202010495917.9
申请日：2020-06-03
申请人： 西安空间无线电技术研究所
摘要： 本发明涉及一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，属于真空电子学二次电子发射抑制技术领域，尤其涉及一种利用薄膜降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，所述的高能区是指入射到银表面电子的能量范围为250‑3000ev。采用NPB材料为薄膜材料，有效降低了银表面高能区的二次电子发射系数。可在银表面大面积制备NPB薄膜，降低了薄膜制备成本。本发明提出的方法对银基底没有温度等特殊要求，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110323527B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910549745.6
申请日：2019-06-24
申请人： 西安空间无线电技术研究所
摘要： 本发明提供了一种TE11双模介质全填充谐振结构及滤波器，通信微波技术领域。所述谐振结构，包括第一谐振器、第二谐振器和侧壁耦合介质窗，所述第一谐振器和第二谐振器均为方形切角全介质填充谐振器，且介电常数均为21.5±0.5，所述第一谐振器和第二谐振器并排设置，通过位于两个谐振器之间的所述侧壁耦合介质窗连接形成一体结构，所述一体结构外表面设有银镀层。该谐振结构使滤波器具有小型化、低插损和轻重量等优点，在通信、卫星和导航等领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110323527A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910549745.6
申请日：2019-06-24
申请人： 西安空间无线电技术研究所
摘要： 本发明提供了一种TE11双模介质全填充谐振结构及滤波器，通信微波技术领域。所述谐振结构，包括第一谐振器、第二谐振器和侧壁耦合介质窗，所述第一谐振器和第二谐振器均为方形切角全介质填充谐振器，且介电常数均为21.5±0.5，所述第一谐振器和第二谐振器并排设置，通过位于两个谐振器之间的所述侧壁耦合介质窗连接形成一体结构，所述一体结构外表面设有银镀层。该谐振结构使滤波器具有小型化、低插损和轻重量等优点，在通信、卫星和导航等领域有广泛的应用前景。
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