- 专利标题： 具有高写裕度的9T TFET与MOSFET器件混合型SRAM单元电路
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申请号： CN201910599322.5申请日： 2019-07-04
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公开(公告)号： CN110379448B公开(公告)日： 2021-07-27
- 发明人: 卢文娟 , 董兰志 , 彭春雨 , 吴秀龙 , 蔺智挺 , 陈军宁
- 申请人： 安徽大学
- 申请人地址： 安徽省合肥市经济开发区九龙路111号
- 专利权人： 安徽大学
- 当前专利权人： 安徽大学
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市经济开发区九龙路111号
- 代理机构： 北京凯特来知识产权代理有限公司
- 代理商 郑立明; 郑哲
- 主分类号： G11C11/412
- IPC分类号： G11C11/412 ; G11C11/417
摘要：
本发明公开了一种具有高写裕度的9T TFET与MOSFET器件混合型SRAM单元电路，单元的整体结构采用了读写分离的方式，单元电路的主体采用TFET器件，传输管部分采用了TFET器件与MOSFET器件组合方式，既克服了堆叠TFET传输能力弱的缺点，又避免了TFET器件作SRAM单元传输管时出现的P‑I‑N正偏电流问题。提高了单元的写能力，降低了单元的静态功耗。
公开/授权文献
- CN110379448A 具有高写裕度的9T TFET与MOSFET器件混合型SRAM单元电路 公开/授权日：2019-10-25
