公开(公告)号：CN110379448B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201910599322.5

申请日：2019-07-04

申请人： 安徽大学

发明人： 卢文娟 ,  董兰志 ,  彭春雨 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  陈军宁

IPC分类号： G11C11/412 ,  G11C11/417

摘要： 本发明公开了一种具有高写裕度的9T TFET与MOSFET器件混合型SRAM单元电路，单元的整体结构采用了读写分离的方式，单元电路的主体采用TFET器件，传输管部分采用了TFET器件与MOSFET器件组合方式，既克服了堆叠TFET传输能力弱的缺点，又避免了TFET器件作SRAM单元传输管时出现的P‑I‑N正偏电流问题。提高了单元的写能力，降低了单元的静态功耗。

公开(公告)号：CN109658960B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201811505310.3

申请日：2018-12-10

申请人： 安徽大学

发明人： 卢文娟 ,  董兰志 ,  彭春雨 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  陈军宁

IPC分类号： G11C11/402

摘要： 本发明公开了一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路，其利用TFET相比于MOSFET具有更小的亚阈值摆幅和更高的开关比等特性，不仅解决了传统MOSFET SRAM单元结构的静态功耗大的问题，在相同的工作电压下如0.3V到0.6V时，其静态功耗与其他的TFET SRAM单元结构相比，其静态功耗至少降低了4个数量级，而且提高了TFET SRAM单元的写裕度和稳定性；即消除了TFET做SRAM传输管时出现的正偏漏电流问题，降低了单元的静态功耗，提高了单元的稳定性和写能力。

公开(公告)号：CN109658960A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811505310.3

申请日：2018-12-10

申请人： 安徽大学

发明人： 卢文娟 ,  董兰志 ,  彭春雨 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  陈军宁

IPC分类号： G11C11/402

摘要： 本发明公开了一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路，其利用TFET相比于MOSFET具有更小的亚阈值摆幅和更高的开关比等特性，不仅解决了传统MOSFET SRAM单元结构的静态功耗大的问题，在相同的工作电压下如0.3V到0.6V时，其静态功耗与其他的TFET SRAM单元结构相比，其静态功耗至少降低了4个数量级，而且提高了TFET SRAM单元的写裕度和稳定性；即消除了TFET做SRAM传输管时出现的正偏漏电流问题，降低了单元的静态功耗，提高了单元的稳定性和写能力。

公开(公告)号：CN110379449B

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201910599805.5

申请日：2019-07-04

申请人： 安徽大学

发明人： 卢文娟 ,  欧阳春 ,  董兰志 ,  彭春雨 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  陈军宁

IPC分类号： G11C11/412 ,  G11C11/417

摘要： 本发明公开了一种具有高写裕度的10T TFET与MOSFET器件混合型SRAM单元电路，其整体结构采用了读写分离的方式，单元电路的主体采用TFET器件，传输管部分采用了TFET器件与MOSFET器件组合方式，既克服了堆叠TFET传输能力弱的缺点，又避免了TFET器件作SRAM单元传输管时出现的P‑I‑N正偏电流问题。提高了单元的写能力，降低了单元的静态功耗。

公开(公告)号：CN110379449A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201910599805.5

申请日：2019-07-04

申请人： 安徽大学

发明人： 卢文娟 ,  欧阳春 ,  董兰志 ,  彭春雨 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  陈军宁

IPC分类号： G11C11/412 ,  G11C11/417

摘要： 本发明公开了一种具有高写裕度的10T TFET与MOSFET器件混合型SRAM单元电路，其整体结构采用了读写分离的方式，单元电路的主体采用TFET器件，传输管部分采用了TFET器件与MOSFET器件组合方式，既克服了堆叠TFET传输能力弱的缺点，又避免了TFET器件作SRAM单元传输管时出现的P-I-N正偏电流问题。提高了单元的写能力，降低了单元的静态功耗。

公开(公告)号：CN110379448A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201910599322.5

申请日：2019-07-04

申请人： 安徽大学

发明人： 卢文娟 ,  董兰志 ,  彭春雨 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  陈军宁

IPC分类号： G11C11/412 ,  G11C11/417

摘要： 本发明公开了一种具有高写裕度的9T TFET与MOSFET器件混合型SRAM单元电路，单元的整体结构采用了读写分离的方式，单元电路的主体采用TFET器件，传输管部分采用了TFET器件与MOSFET器件组合方式，既克服了堆叠TFET传输能力弱的缺点，又避免了TFET器件作SRAM单元传输管时出现的P-I-N正偏电流问题。提高了单元的写能力，降低了单元的静态功耗。

公开(公告)号：CN209312439U

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201822069491.1

申请日：2018-12-10

申请人： 安徽大学

发明人： 卢文娟 ,  董兰志 ,  彭春雨 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  陈军宁

IPC分类号： G11C11/402

摘要： 本实用新型公开了一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路，其利用TFET相比于MOSFET具有更小的亚阈值摆幅和更高的开关比等特性，不仅解决了传统MOSFET SRAM单元结构的静态功耗大的问题，在相同的工作电压下如0.3V到0.6V时，其静态功耗与其他TFET SRAM单元结构相比，其静态功耗至少降低了4个数量级，而且提高了TFET SRAM单元的写裕度和稳定性；即消除了TFET做SRAM传输管时出现的正偏漏电流问题，降低了单元的静态功耗，提高了单元的稳定性和写能力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利