在一个实施方式中，用于制造光电子半导体器件(1)的方法具有如下步骤：A)将发射辐射的半导体芯片(3)施加到中间载体(2)上，其中半导体芯片(3)是体积发射器，B)将辐射可透过的透明灌封件(4)直接施加到芯片侧面(34)上，使得透明灌封件(4)的厚度在背离芯片侧面(34)的方向上单调地或严格单调地减小，C)和芯片侧面(34)相对地产生反射元件(5)，使得反射元件(5)和透明灌封件(4)在透明灌封件(4)的与芯片侧面(34)相对置的外侧(44)上接触，以及D)将半导体芯片(3)从中间载体(2)剥离并且将半导体芯片(3)分别施加到器件载体(6)上，使得半导体芯片(3)的相应的光出射主侧(30)分别背离器件载体(6)，其中步骤C)在步骤D)之后执行。