- 专利标题: 基于MEMS工艺的毫米波高增益缝隙阵列天线
- 专利标题(英): Millimeter wave high-gain slot array antenna based on MEMS process
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申请号: CN201910711535.2申请日: 2019-08-02
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公开(公告)号: CN110401022A公开(公告)日: 2019-11-01
- 发明人: 程钰间 , 柏航 , 宁静 , 樊勇 , 张波 , 林先其 , 宋开军 , 张永鸿
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 成都点睛专利代理事务所
- 代理商 敖欢; 葛启函
- 主分类号: H01Q1/36
- IPC分类号: H01Q1/36 ; H01Q1/38 ; H01Q1/50 ; H01Q13/10 ; H01Q21/00 ; H01Q21/06
摘要:
本发明属于缝隙阵列天线技术领域,提供一种基于MEMS工艺的毫米波高增益缝隙阵列天线,用以解决在限制天线面积或者固定波束宽度情况下,希望能够进一步提升天线增益的问题,本发明利用MEMS工艺,为了易于方向图赋形,采用缝隙作为天线辐射单元,为了满足固定天线波束宽度要求下同时提升天线增益,通过在传统的辐射缝隙单元上方加载辐射匹配层和辐射口面层,适当调节辐射匹配层和辐射口面层的空气腔尺寸以及辐射缝隙位置,可以实现不改变波束宽度条件下的天线增益提升效果。
公开/授权文献
- CN110401022B 基于MEMS工艺的毫米波高增益缝隙阵列天线 公开/授权日:2021-01-22