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公开(公告)号：CN116864950A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310817186.9
申请日：2023-07-05
申请人： 中国电子科技集团公司第二十七研究所 , 电子科技大学
IPC分类号： H01P5/12
摘要： 本发明公开了一种微波毫米波宽带多路功率合成器，包括合成器盖板、合成器模式转换主体结构和合成器功率合成主体结构，所述的合成器盖板内盖板面中心处设置有一组垂直结构的柱状阻抗变换结构；所述的合成器模式转换主体结构用于将圆波导腔TE01模式转换成矩形波导的TE10模式，包括中心设置的圆波导腔，均匀围着圆波导腔设置的N个矩形支节臂，N为偶数；本发明通过设计“米”字形结构八路矩形波导功率合成电路，可以将八路信号进行合成一路信号输出；然后，通过与其配合的圆波导一分八路功分电路，实现将圆波导传输信号转换成八路矩形波导传输信号，同时，完成圆波导到多路矩形波导的电磁场传输模式转换。
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公开(公告)号：CN110401022B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910711535.2
申请日：2019-08-02
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于缝隙阵列天线技术领域，提供一种基于MEMS工艺的毫米波高增益缝隙阵列天线，用以解决在限制天线面积或者固定波束宽度情况下，希望能够进一步提升天线增益的问题，本发明利用MEMS工艺，为了易于方向图赋形，采用缝隙作为天线辐射单元，为了满足固定天线波束宽度要求下同时提升天线增益，通过在传统的辐射缝隙单元上方加载辐射匹配层和辐射口面层，适当调节辐射匹配层和辐射口面层的空气腔尺寸以及辐射缝隙位置，可以实现不改变波束宽度条件下的天线增益提升效果。
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公开(公告)号：CN108832293B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201810677187.7
申请日：2018-06-27
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供了一种用于近场二维扫描的基片集成波导漏波缝隙阵天线，介质基板层内有位若干排单排金属化通孔线列和与之相连的双排金属化通孔线列，单排金属化通孔相邻两排间距各不相同以产生馈电相位差，双排金属化通孔相邻两排之间宽度均相同，上金属覆铜层上开设有垂直贯穿上金属覆铜层的若干排缝隙，其中各排缝隙的缝隙位置各不相同，上下交错排布形成三角结构，沿天线馈电端到匹配端方向，相邻单个辐射缝隙之间的间距逐渐减小，以产生近场聚焦所需相位分布，本发明通过缝隙位置实现了近场二维天线阵面的口径相位的精确补偿，给出了近场二维扫描基片集成波导天线阵的设计过程，提出了一种三角排布的拓扑，可以抑制杂散辐射改善天线性能。
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公开(公告)号：CN108598697B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201810364915.9
申请日：2018-04-23
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种三维蜿蜒基片集成波导近场聚焦驻波缝隙阵天线，天线的整体形状为圆弧面；天线包括上、下两个金属覆铜层，以及介质基板层，介质基板层上设有金属化通孔，两排横向金属化通孔用以形成基片集成波导，纵向金属化通孔封闭两排横向金属化通孔的一端以形成短路面，上金属覆铜层上设有垂直贯穿上金属覆铜层的辐射缝隙，辐射缝隙在天线中心线上下两侧交错排布；本发明将基片集成波导主动共形在蜿蜒形状上，以突破传统平面的幅相调控思想，简化器件的设计难度，通过调控纵向维度实现平面驻波缝隙阵天线无法满足的近场聚焦口径相位，实现了基片集成波导驻波缝隙阵天线的近场聚焦。
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公开(公告)号：CN107369905B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201710588515.1
申请日：2017-07-19
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于毫米波天线领域，提供一种宽带高效率高增益圆极化阵列天线，适用于太赫兹频段无线通信系统；本发明包括宽带圆极化子阵天线单元和宽带馈电网络，宽带圆极化子阵天线单元包括子阵列馈电网络、互补移相器及辐射单元，子阵列馈电网络包括馈电结构、功分耦合腔结构以及设于功分耦合腔结构上表面的耦合缝隙，功分耦合腔结构为四角均带切角的正方形腔体、四边的中心均设置微扰结构，每个切角位置对应开设一个耦合缝隙、作为双极化输出端口，输出端口上连接互补移相器，互补移相器输出端连接辐射单元。本发明天天线采用宽带功分器结构和宽带移相器结构从而具有很宽的轴比带宽(大于28.5％)和驻波带宽(大于28.5％)。
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公开(公告)号：CN110854547A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911231429.0
申请日：2019-12-05
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于毫米波波束扫描天线技术领域，具体提供一种基于拓扑优化的阵列馈电式大范围波束扫描反射面天线；将阵列馈源划分为两个或三个子阵馈源，并将第一子阵馈源平行于反射面的焦平面设置，其它子阵馈源均与第一子阵馈源所在平面形成夹角，形成三维阵列馈源。本发明将传统反射面天线的二维阵列馈源改进为三维阵列馈源，克服了传统阵列馈电式波束扫描反射面天线所面临的扫描范围受限的问题，并且能够有效减小单元幅度动态范围，提高可实现性。同时，本发明通过优化子阵馈源与焦平面的夹角角度，有效地减小天线的扫描损耗，克服了大范围波束扫描天线所面临的较大扫描损耗的难题，从而更好地应用于毫米波频段阵列馈电式波束扫描反射面天线领域。
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公开(公告)号：CN107689490B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201710725935.X
申请日：2017-08-22
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种双频共口径阵列天线，包括：Ku频段基片集成波导加载Dipole天线，基片集成波导壁和铜板构成的Ka频段金属波导天线，Ka频段基片集成波导馈电结构，Ku频段基片集成波导馈电结构，所述Ka频段基片集成波导馈电结构和Ku频段基片集成波导馈电结构的馈电网络一体化在同一块介质基板上；本发明提供的双频共口径阵列的发明中，Ku频段基片集成波导加载Dipole天线的基片集成波导传输部分既构成了Ku频段的天线，其和起固定作用的铜板又充当了Ka频段矩形金属波导的壁，实现了口径复用，大大降低了天线间的互耦，同时减小了天线的口径尺寸，实现了双频的共口径阵列天线。
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公开(公告)号：CN107591610B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201710588505.8
申请日：2017-07-19
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于毫米波天线领域，提供一种宽带高隔离度低交叉极化双线极化天线，适用于太赫兹频段无线全双工通信系统。本发明包括宽带子阵列馈电网络和双极化子阵单元天线，双极化子阵单元天线包括极化1馈电结构、极化2馈电结构、极化隔离结构、子阵功分结构和辐射单元，其中，极化1馈电结构与极化2馈电结构连接极化隔离结构、两者激励模式正交，子阵功分结构设置于极化隔离结构上、由功分耦合腔及设于功分耦合腔上表面的耦合缝隙构成，耦合缝隙通过匹配结构与辐射单元连接；本发明提供宽带高隔离度低交叉极化双线极化天线，能够实现宽带高效率高增益特性，双极化输入端口具有高隔离度(大于60dB)并且双线极化均具有高极化纯度(大于50dB)。
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公开(公告)号：CN110401022A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910711535.2
申请日：2019-08-02
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于缝隙阵列天线技术领域，提供一种基于MEMS工艺的毫米波高增益缝隙阵列天线，用以解决在限制天线面积或者固定波束宽度情况下，希望能够进一步提升天线增益的问题，本发明利用MEMS工艺，为了易于方向图赋形，采用缝隙作为天线辐射单元，为了满足固定天线波束宽度要求下同时提升天线增益，通过在传统的辐射缝隙单元上方加载辐射匹配层和辐射口面层，适当调节辐射匹配层和辐射口面层的空气腔尺寸以及辐射缝隙位置，可以实现不改变波束宽度条件下的天线增益提升效果。
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公开(公告)号：CN110112573A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910317276.5
申请日：2019-04-19
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于共口径天线的技术领域，提供一种低剖面双频二维宽角扫描共口径相控阵天线，用以克服传统共口径相控阵天线设计中高低频天线无法同时实现二维大角度扫描的问题。本发明包括从下至上依次层叠的背馈结构、中层介质层、第二中层金属敷铜层、上层介质层与上层金属敷铜层，以及第一金属化过孔与第二金属化过孔；第一金属化过孔贯穿第二中层金属敷铜层、中层介质层及背馈结构，共同构成低频天线；第二金属化过孔与第一金属化过孔一一对应，第二金属化过孔穿过第一金属化过孔、并贯穿上层介质层与上层金属敷铜层连接，共同构成高频天线。本发明共口径天线能够满足双频布阵间距均满足二维大角度，同时还采用了结构复用技术简化了结构，使得天线整体剖面极低。
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