- 专利标题: 三维多孔氮掺杂中空碳纳米球及其可控制备方法和应用
- 专利标题(英): Three-dimensional porous nitrogen-doped hollow carbon nanosphere, and controllable preparation method and application thereof
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申请号: CN201910712145.7申请日: 2019-08-02
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公开(公告)号: CN110407194A公开(公告)日: 2019-11-05
- 发明人: 周亮 , 徐铭 , 麦立强 , 于强
- 申请人: 武汉理工大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 专利权人: 武汉理工大学
- 当前专利权人: 武汉理工大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 代理机构: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- 代理商 崔友明
- 主分类号: C01B32/15
- IPC分类号: C01B32/15 ; H01G11/24 ; H01G11/30 ; H01G11/36 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明涉及一种三维多孔氮掺杂中空碳纳米球及其可控制备方法和应用,其粒径为100-150nm,中空碳纳米球的壳层上均匀分布着直径0.7-2nm的微孔,中空碳纳米球的空腔直径为30-50nm。本发明与现有技术相比,具有如下优势:1)合成工艺简单,能够一步聚合得到中空纳米球结构,成本低廉;2)尺寸均一且具有相互连通的微孔和中空结构,更加有利于离子的吸附、储存和转移;3)原位掺杂氮原子可有效提高材料的导电性和电化学性能;4)原位氮掺杂三维多孔碳纳米球具有优异的吸附性能,其丰富的微孔空隙可以吸附大量的电解液离子,作为超级电容器电极材料时表现出高比容量,极佳的倍率性能和循环稳定性。
公开/授权文献
- CN110407194B 三维多孔氮掺杂中空碳纳米球及其可控制备方法和应用 公开/授权日:2023-03-21