本发明涉及一种用于制造光电子器件(100)的方法，所述方法具有如下步骤：A)提供衬底(1)，B)提供金属液体(2)，所述金属液体结构化地设置在衬底(1)上并且具有至少一种第一金属(Me1)，C)提供半导体芯片(3)，所述半导体芯片分别在其背侧(31)上具有金属封闭层(4)，其中金属封闭层具有至少一种与第一金属(Me1)不同的第二金属(Me2)，以及D)将半导体芯片(3)自组织地设置(5)到金属液体(2)上，使得第一金属(Me1)和第二金属(Me2)构成至少一种金属间化合物(6)，所述金属间化合物与金属液体(2)的熔化温度相比具有更高的再熔化温度，其中金属间化合物(6)用作为在衬底(1)与半导体芯片(3)之间的连接层。