发明授权
- 专利标题: 一种叠层磁性薄膜及其制备方法
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申请号: CN201910803515.8申请日: 2019-08-28
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公开(公告)号: CN110444364B公开(公告)日: 2021-03-30
- 发明人: 周国云 , 李晓璇 , 张伟豪 , 何为 , 王守绪 , 陈苑明 , 洪延 , 王翀 , 杨文君
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 成都点睛专利代理事务所
- 代理商 葛启函
- 主分类号: H01F10/14
- IPC分类号: H01F10/14 ; H01F10/16 ; H01F27/24 ; H01F41/14 ; H01F41/26 ; H01F41/02
摘要:
本发明涉及一种叠层磁性薄膜,包括2n层磁芯结构,n为正整数,且n≥1,所述2n层磁芯结构包括交替设置的Ni‑Co磁芯层和Ni‑Fe‑W磁芯层。本发明通过依次连续设置的软磁Ni‑Fe‑W合金和Ni‑Co合金,来提高磁芯薄膜磁性能,从而获得高磁性且损耗不会过大的叠层磁性薄膜,以便有效提升电感元件的电感值,保证较高的品质因子和磁芯薄膜稳定性。该制备工艺简单、可靠性强、生产成本低,有利于产业化发展。此外,本发明还涉及一种叠层磁性薄膜的制备方法。
公开/授权文献
- CN110444364A 一种叠层磁性薄膜及其制备方法 公开/授权日:2019-11-12