- 专利标题: 基于Mg掺杂硫化锑的薄膜太阳能电池及其制备方法
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申请号: CN201910863823.X申请日: 2019-09-12
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公开(公告)号: CN110459629B公开(公告)日: 2021-01-01
- 发明人: 陈建林 , 刘壮 , 彭卓寅 , 刘宙 , 张瑜 , 赵武松 , 黄才友 , 陈荐
- 申请人: 长沙理工大学
- 申请人地址: 湖南省长沙市天心区万家丽南路二段960号
- 专利权人: 长沙理工大学
- 当前专利权人: 长沙理工大学
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市天心区万家丽南路二段960号
- 代理机构: 湖南兆弘专利事务所
- 代理商 朱伟雄
- 主分类号: H01L31/032
- IPC分类号: H01L31/032 ; H01L31/0445 ; H01L31/072 ; H01L31/18
摘要:
本发明公开了基于Mg掺杂硫化锑的薄膜太阳能电池,从下至上依次包括透明导电衬底、电子传输层、吸光层和金属电极,吸光层为Mg掺杂硫化锑薄膜;还公开了制备方法,包括:①清洗氧化物透明导电衬底并烘干;②电子传输层的制备;③吸光层的制备:将含Mg元素的硫化锑前驱体溶液旋涂于电子传输层上,加热生成Mg掺杂硫化锑;重复旋涂与加热反应步骤调节Mg掺杂硫化锑薄膜厚度;在惰性气体环境下退火使Mg掺杂硫化锑薄膜结晶得无机吸光层;④电极的制备。本发明的薄膜太阳能电池吸光性好、电池短路电流高、设备转化效率明显改善,Mg掺杂使薄膜更光滑、均匀、致密,减少载流子的复合;本发明的方法原料和工艺简单、设备要求低。
公开/授权文献
- CN110459629A 基于Mg掺杂硫化锑的薄膜太阳能电池及其制备方法 公开/授权日:2019-11-15
IPC分类: