有机电子装置的光刻法图案化
摘要:
本申请涉及有机电子装置的光刻法图案化,特别是一种制造OLED装置的方法,包括在具有底部电极的第一阵列的装置基底上提供第一底切剥离结构。接着,在第一底切剥离结构上和在底部电极的第一阵列上沉积包括至少第一发光层的一个或更多个有机EL介质层。通过用包含氟化溶剂的第一剥离剂处理来移除第一底切剥离结构和上覆的第一有机EL介质层以形成第一中间结构。使用第二底切剥离结构重复该过程以在底部电极的第二阵列上沉积一个或更多个第二有机EL介质层。在移除第二底切剥离结构之后,提供与第一有机EL介质层和第二有机EL介质层电接触的共用顶部电极。
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