一种可控同位素中子源
摘要:
本发明公开了一种可控同位素中子源,包括:密封容器;设在密封容器中的用以镀α粒子发射体的基体,α粒子发射体镀层设在基体外周的部分区域;设在密封容器中的金属靶核,金属靶核设置在基体的周围,且与基体的外周保持一定的距离,其中:基体和/或金属靶核设为可绕轴旋转,使改变基体上α粒子发射体镀层与金属靶核的相对位置获得不同强度中子源,使改变基体的旋转速度获得不同频率的中子束脉冲。实施本发明的可控同位素中子源,中子源强可调,能够获得不同频率的中子束脉冲;实现中子发射的开关控制,使得中子源的安全性得到提高;结构简单,体积小,重量轻。
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