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公开(公告)号：CN110164580B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201910428236.8
申请日：2019-05-22
申请人： 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： G21G4/02
摘要： 本发明公开一种带吸收片的中子束窗，包括高真空腔体、低真空腔体和可调式吸收片组件，高真空腔体与低真空腔体之间设有薄壁曲面窗体；高真空腔体和低真空腔体的相接处，高真空腔体带有第一法兰，低真空腔体带有第二法兰，第一法兰和第二法兰之间通过第一快卸链条固定连接；低真空腔体内设有至少一组可调式吸收片组件，可调式吸收片组件的下端设置吸收片；低真空腔体的顶面设有通孔，可调式吸收片组件下端的吸收片从通孔处伸入至低真空腔体内部；通孔处，低真空腔体带有第四法兰，可调式吸收片组件上设有第三法兰，第四法兰和第三法兰之间通过第二快卸链条固定连接。本带吸收片的中子束窗使用灵活、可实现快速装卸、便于设备维护。
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公开(公告)号：CN110136860B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201910442753.0
申请日：2019-05-25
申请人： 广东太微加速器有限公司
发明人： 钱铁威
IPC分类号： G21G4/02
摘要： 本发明提出了一种快中子筛选装置，其闪烁体组件完全展开，形成一个圆环，第一电机再驱动闪烁体组件匀速的转动，这时中子发生源向闪烁体组件的入射表面发射中子束，使大于一个周期内发射的中子束能完全射向闪烁体组件，这样闪烁体组件上就能发光，并通过光检测器产生电信号，并把该电信号发送给微处理器，由于快中子会区别于其他中子，具有更大的能量，这样接收到快中子的光检测元件就能发出更强的信号，微处理器接收该电信号，并进行存储和处理，微处理器根据记录的规律性变化的强弱的电信号来计算出中子束流的脉冲周期。
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公开(公告)号：CN117393196A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311299468.0
申请日：2023-10-09
申请人： 吉林大学
IPC分类号： G21G4/02
摘要： 本发明涉及核技术利用领域，具体涉及一种基于D‑D中子管的中子靶，其基本结构为氘代聚乙烯醇海绵与重水中子靶，金刚石保护层，在上述中子靶结构中，氘代聚乙烯醇海绵是通过聚乙烯醇用同位素替换的方法将原有材料中的氢元素替换为氘元素得到，使用重水与氘代聚乙烯醇的混合物作为中子靶，一方面使中子管整体的能量转换效率更高，提高了传统D‑D中子管的中子产额，另一方面，使用金刚石作为中子靶的保护层，提高了抗辐照损伤性能，延长了器件的使用寿命，整体设计从根本上解决了传统D‑D中子管中子产额低，能量转换效率低的弊端，提高了D‑D中子管的性能。
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公开(公告)号：CN116798676A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310782202.5
申请日：2023-06-28
申请人： 中子高新技术产业发展(重庆)有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明涉及核能的技术领域，具体提供一种靶片及制作方法，旨在解决现有靶片服役时温度较高，靶片换热不够，进而造成靶片失效的问题。为此目的，本发明的靶片包括相连的导热层和复合层，导热层包括以下重量百分比的组分：1％～20％的Pd和80～99％的Cu，通过上述重量百分比的组分的协同复配作用，具有良好的导热性能，同时也使得导热层与复合层之间形成良好的连接。
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公开(公告)号：CN116665945A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310609982.3
申请日：2023-05-26
申请人： 中国工程物理研究院应用电子学研究所
发明人： 刘宇 , 吴岱 , 肖德鑫 , 羊奕伟 , 周征 , 王建新 , 周奎 , 李鹏 , 单李军 , 张鹏 , 王汉斌 , 罗星 , 沈旭明 , 闫陇刚 , 任忠国 , 陈立均 , 杨林德 , 杨兴繁 , 黎明 , 赵剑衡
摘要： 本发明涉及一种用于中子源的靶系统，属于中子物理及中子源技术领域，包括辐射转化靶、靶冷却单元以及换靶单元，辐射转化靶的靶体由多个靶片堆叠而成，相邻靶片之间形成供冷却液流通的靶片间隙，靶冷却单元的内部设有冷却液流通通道，所述辐射转化靶位于所述冷却液流通通道内部，换靶单元将冷却液流通通道内的辐射转化靶移动至定位台上，所述定位台的两侧分别设有装靶组件以及卸靶组件，所述卸靶组件用于拆卸更换前的辐射转化靶，所述装靶组件用于安装更换后的辐射转化靶，本发明既能对辐射转化靶进行有效散热，提高辐射转化靶的束流耐受能力，又能实现远程自动化更换辐射转化靶，避免操作人员近距离接触而受到辐射损伤。
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公开(公告)号：CN113053555B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202110243261.6
申请日：2021-03-05
申请人： 中国科学院近代物理研究所
摘要： 本发明公开了一种高磁性耐磨损的散裂靶靶球及其制备方法。本发明高磁性耐磨损散裂靶靶球，由球芯和由内至外依次包覆在球芯外的磁性层、过渡层和耐磨层构成；球芯为钨镍铁合金球或铍球。本发明制备方法，包括如下步骤：在球芯外依次包覆磁性层、过渡层和耐磨层，即可得到高磁性耐磨损散裂靶靶球。本发明新型的靶球结构设计，其磁性及耐磨性都得到了大幅提高，相应的靶球提升流量以及靶球的使用寿命也将大大提升，同时减少了粉尘的产生量。本发明制备方法中，利用粉末包覆烧结法制备表面高磁性涂层，其综合性能更好，表面的钨与镍铁组织具有非常好的润湿性，高温热处理后可在界面处实现冶金结合，结合力高，涂层不易脱落。
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公开(公告)号：CN116052920A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310017192.6
申请日：2023-01-06
申请人： 中科超睿(青岛)技术有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本申请涉及中子照相技术领域，具体提供一种慢化准直系统及中子照相设备，旨在解决现有中子照相设备的各个慢化准直通道内中子通量密度分布不均的问题。为此目的，本申请的慢化准直系统包括：慢化体，其为高散射材质，所述慢化体内开设有中子入射通道、中间腔室以及多个准直通道，所述中间腔室位于所述中子入射通道和每个所述准直通道之间，以使中子束流能够沿所述中子入射通道进入所述中间腔室，并从所述准直通道排出；以及多个准直器，所述准直器的数量与所述准直通道的数量相同，每个所述准直器分别设置于一个所述准直通道内。本申请提高了各侧方准直器内的中子通量密度，使各个准直器内的中子通量密度更均匀，进而保证了成像系统的成像质量。
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公开(公告)号：CN113952635B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202010701450.9
申请日：2020-07-20
申请人： 中硼(厦门)医疗器械有限公司
摘要： 本发明提供了一种放射治疗系统及其安全联锁控制方法。放射治疗系统包括系统控制模块、射束控制模块、射束产生装置和第一照射室，射束产生装置包括射束方向切换组件，射束产生装置用于生成射束并通过射束方向切换组件可选择地向第一照射室发射射束，该控制方法包括：当射束产生装置发射射束至第一照射室时，射束控制模块或系统控制模块根据接收到的放射治疗系统的运行数据，确定第一照射室的照射存在安全问题；射束控制模块或者系统控制模块通过射束控制模块控制射束方向切换组件将射束从第一照射室切离，能够提升放射治疗系统的安全性。
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公开(公告)号：CN111739674B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202010454670.6
申请日：2020-05-26
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种用于负高压加速的小型中子发生器的靶电极，包括由靶基座(2)和电极(6)组成的外表光滑的圆柱形的外壳体，设置在靶基座(2)上、位于外壳体内部的靶片(3)，靶基座(2)上设有冷却液通道(12)，电极(6)上设有束流通道(13)。该靶电极组装完成后是一个端面为圆弧状的圆柱，所有不规则结构和尖端都在靶电极内部，保证了电场分布的均匀性。该靶电极对二次电子的抑制效果好，尺寸小，功能全，靶片(3)上能承载3.5mA以上、能量为130keV的D+束流。
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公开(公告)号：CN114151422A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111474519.X
申请日：2021-12-03
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明的实施例提供一种连接结构、驱动系统和中子源组件，连接结构用于将放射性组件与驱动装置连接，连接结构包括：配合件，所述配合件连接至所述放射性组件；转接件，所述转接件能够与所述配合件配合连接，并且，所述转接件能够可操作地连接至所述驱动装置；以及锁定件，所述锁定件可操作以将所述转接件与所述配合件的配合连接锁定或解除。根据本发明实施例的连接结构、驱动系统和中子源组件能够简化放射性组件与驱动装置的连接步骤并提高操作的安全性。
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