- 专利标题: 一种高晶界密度MoO3纳米晶、及其制备和在芳伯醇催化氧化中的应用
- 专利标题(英): MoO3 nanocrystal with high grain boundary density, and preparation method and application thereof in catalytic oxidation of aromatic primary alcohol
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申请号: CN201910692722.0申请日: 2019-07-30
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公开(公告)号: CN110482607A公开(公告)日: 2019-11-22
- 发明人: 王梁炳 , 解杨岑子 , 谢子铖 , 侯婷婷
- 申请人: 中南大学
- 申请人地址: 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
- 专利权人: 中南大学
- 当前专利权人: 中南大学
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
- 代理机构: 长沙市融智专利事务所
- 代理商 盛武生; 魏娟
- 主分类号: C01G39/02
- IPC分类号: C01G39/02 ; B82Y40/00 ; B01J23/28 ; C07C51/235 ; C07C63/06 ; C07C65/21 ; C07C63/70 ; C07C53/02
摘要:
本发明属于催化材料领域,具体涉及一种高晶界密度MoO3纳米晶,其晶界密度不低于30,000m/mg。此外,本发明还提供了通过多孔Mo在450-550℃的温度下氧化烧结得到所述高晶界密度MoO3纳米晶的制备方法。本发明还提供了所述的高晶界密度MoO3纳米晶将其用作芳伯醇氧化制备芳基甲酸的催化剂的应用。本发明研究发现,MoO3纳米晶的晶界密度对芳伯醇催化氧化性能有重大影响,并进一步研究发现,控制在所要求的高晶界密度的条件下,其可以在芳伯醇氧化的反应中表现出优异的催化活性,其不仅具有优异的催化转化性能,还具有优异的循环稳定性。
公开/授权文献
- CN110482607B 一种高晶界密度MoO3纳米晶、及其制备和在芳伯醇催化氧化中的应用 公开/授权日:2021-01-29
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