萧特基二极管

发明授权

请登陆查看更多内容

专利标题： 萧特基二极管
申请号： CN201810473287.8

申请日： 2018-05-17
公开(公告)号： CN110504326B

公开(公告)日： 2022-10-14
发明人: 杨承桦 , 林克峰 , 李明宗 , 黄世腾 , 王智充 , 李秋德 , 林淑雯
申请人： 联华电子股份有限公司
申请人地址： 中国台湾新竹市
专利权人： 联华电子股份有限公司
当前专利权人： 联华电子股份有限公司
当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
代理机构： 北京市柳沈律师事务所
代理商 陈小雯
主分类号： H01L29/872
IPC分类号： H01L29/872

摘要：

本发明公开一种萧特基二极管，包含有一萧特基接面、一欧姆接面、一第一绝缘结构以及多个掺杂区。萧特基接面，包含一第一阱位于一基底中，以及一第一电极接触第一阱。欧姆接面，包含一接面区域位于第一阱中，以及一第二电极接触接面区域。第一绝缘结构设置于基底中且将萧特基接面及欧姆接面隔离。多个掺杂区位于第一阱中以及萧特基接面下方，其中此些掺杂区彼此分离且构成一同心圆的俯视轮廓。

公开/授权文献

CN110504326A 萧特基二极管公开/授权日：2019-11-26

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/86	..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/861	...二极管
H01L29/872	....肖特基二极管