本发明提出了一种具有部分宽带隙半导体材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法。该异质结IGBT器件主要特点是将宽带隙半导体材料与硅材料相结合的异质结部分生长在外延层上，将掺杂浓度较低的N型宽带隙半导体材料外延生长在P+型宽带隙半导体材料衬底上，并形成外延层，通过刻蚀形成外延层中的沟槽，该沟槽刻蚀的深度到达P+型衬底表面，利用外延生长技术或者键合技术在该N型宽带隙半导体材料外延层表面异质生长N型硅半导体材料外延层。利用宽带隙半导体材料的高临界击穿电场，将器件的击穿点从高电场区域转移到低电场区域，使得器件可承担更高的击穿电压，突破了传统硅半导体材料临界击穿电场的限制。