- 专利标题: 氧化锆微掺杂的钨电极材料、电极及制备方法、用途
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申请号: CN201910891117.6申请日: 2019-09-20
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公开(公告)号: CN110587176B公开(公告)日: 2020-11-20
- 发明人: 于月光 , 杨建参 , 王芦燕 , 李曹兵 , 彭鹰 , 章德铭 , 张宇晴
- 申请人: 北京矿冶科技集团有限公司 , 北京工业大学
- 申请人地址: 北京市丰台区南四环西路188号总部基地十八区23号楼
- 专利权人: 北京矿冶科技集团有限公司,北京工业大学
- 当前专利权人: 北京矿冶科技集团有限公司,北京工业大学
- 当前专利权人地址: 北京市丰台区南四环西路188号总部基地十八区23号楼
- 代理机构: 北京超凡宏宇专利代理事务所
- 代理商 张文静
- 主分类号: B23K35/22
- IPC分类号: B23K35/22 ; B23K35/32 ; B23K35/40
摘要:
一种氧化锆微掺杂的具有抗烧损性能的W‑La2O3‑Y2O3‑ZrO2系钨电极材料,所述钨电极材料为弥散有氧化锆、氧化镧和氧化钇的金属钨基材料,且所述氧化镧和氧化钇的质量百分比为1.10~1.65%;所述氧化锆的质量百分比为0.01~0.04%;所述钨电极材料中金属钨以连续的钨晶颗粒存在,氧化锆、氧化镧和氧化钇以单一的或团聚的弥散颗粒存在,所述钨电极材料烧结态时的晶颗粒尺寸为50~100μm,所述弥散颗粒粒径为1~10μm。本发明通过在钨晶材料中掺杂氧化镧、氧化钇和微量的氧化锆,能够为氧化镧和氧化钇提供逸出通道,同时不影响机械加工性能,获得良好抗烧损性能的同时,不影响机械加工性能。
公开/授权文献
- CN110587176A 氧化锆微掺杂的钨电极材料、电极及制备方法、用途 公开/授权日:2019-12-20